Next Generation GaN Power Amplifiers

Informazioni relative al progetto

CoolHEMT

ID dell’accordo di sovvenzione: 823260

DOI

10.3030/823260

Progetto chiuso

Data della firma CE 27 Settembre 2018

Data di avvio 1 Settembre 2018

Data di completamento 28 Febbraio 2021

Finanziato da

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Innovation In SMEs

Costo totale

€ 2 354 562,50

Contributo UE

€ 1 648 193,75

Coordinato da

SWEGAN AB
Sweden

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Risultati finali

Documents, reports (2)

Final (Public) Report
Improved Documentation; Guidelines and Best Practices

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

External project website

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (1)

Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors

Autori: Jun Lu, Jr-Tai Chen, Martin Dahlqvist, Riad Kabouche, Farid Medjdoub, Johanna Rosen, Olof Kordina, Lars Hultman
Pubblicato in: Applied Physics Letters, Numero 115/22, 2019, Pagina/e 221601, ISSN 0003-6951
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5123374

Diritti di proprietà intellettuale

Trademark (1)

QuanFINE

Numero candidatura/pubblicazione: 017968878 017968878
Data: 2018-10-16
Candidato/i: SWEGAN AB