Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

Next Generation GaN Power Amplifiers

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

Publikacje

Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Jun Lu, Jr-Tai Chen, Martin Dahlqvist, Riad Kabouche, Farid Medjdoub, Johanna Rosen, Olof Kordina, Lars Hultman
Opublikowane w: Applied Physics Letters, Numer 115/22, 2019, Strona(/y) 221601, ISSN 0003-6951
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5123374

Prawa własności intelektualnej

QuanFINE

Numer wniosku/publikacji: 017968878 017968878
Data: 2018-10-16
Wnioskodawca/wnioskodawcy: SWEGAN AB

Wyszukiwanie danych OpenAIRE...

Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd

Brak wyników

Moja broszura 0 0