Descripción del proyecto
Una nueva tecnología para futuros dispositivos del internet de las cosas
Más allá de los ordenadores portátiles y los teléfonos inteligentes, existen miles de millones de dispositivos conectados a internet, como por ejemplo una nevera inteligente que crea listas de la compra. En el núcleo de cualquier dispositivo del internet de las cosas (IdC o IoT, por sus siglas en inglés) se encuentran los microcontroladores (MCU, por sus siglas en inglés), los cuales disponen de transistores lógicos para procesar datos y de memoria no volátil incorporada (eNVM, por sus siglas en inglés) para almacenarlos. Además, la mayoría de los MCU se fabrican en nodos de 40 nm o más. Los nodos tecnológicos más pequeños, como los de 28 nm, auguran un consumo energético inferior y menores costes, lo cual resulta esencial para la adopción del IdC. En este contexto, el proyecto financiado con fondos europeos IoTMemory buscará una solución: una nueva tecnología de eNVM. En concreto, los investigadores trazarán un camino claro hacia las células de eNVM, incluso en nodos de 7 nm: el nodo tecnológico más avanzado actualmente disponible.
Objetivo
Serving the €17bn microcontroller industry: Every IoT device needs a microcontroller (MCU). Each MCU has logic transistors for processing data and eNVM (flash) for storing data, among other components. Most microcontrollers today are manufactured at 40nm nodes or above. Smaller technology nodes, like 28nm, promise lower power and lower cost, critical for IoT adoption. Logic transistor scale down fine to 28nm and below. But Flash does not scale down to smaller technology nodes – the effects of Moore’s law have hit a physical limit at 28nm for Flash memory; writing data will destroy them. Consequentially, the benefits of 28nm will be denied to MCU vendors, unless a new eNVM technology is found.
FeFET, the ferroelectric field effect transistor by FMC, is based on the discovery that hafnium oxide, the gate material of modern logic transistors, can be modified such that it becomes ferro-electric. By applying a positive or negative voltage, the material can store a 0 or 1. The gate remembers the state even when power is turned off – the transistor becomes a non-volatile memory cell. As hafnium oxide retains ferro electricity to at least 2nm film thickness, we have clear path to eNVM cells even at the 7nm node – the most advanced technology node available today.
In Phase 1, FMC wants to better understand the technical requirements in various sectors of the microcontroller market, develop a communication approach, and develop a detailed plan how to meet their application specific functional and performance requirements.
Today, FMC is focused on advancing its technology from TRL5 to TRL6 to satisfy minimum viable product properties ahead of commencing prototype production. In Phase 2, FMC will use the base technology to create a range of custom-specific memory macros that satisfy the requirement of different market segments and customer types (TRL7-8).
The company should reach more than 115M€ revenues by 2024 provided it can raise the required financing.
Ámbito científico
- engineering and technologymechanical engineeringmanufacturing engineering
- natural sciencescomputer and information sciencesinternetinternet of things
- engineering and technologyelectrical engineering, electronic engineering, information engineeringelectronic engineeringsensorsoptical sensors
- natural scienceschemical sciencesinorganic chemistrytransition metals
- natural sciencescomputer and information sciencesartificial intelligencemachine learningdeep learning
Programa(s)
Convocatoria de propuestas
Consulte otros proyectos de esta convocatoriaConvocatoria de subcontratación
H2020-SMEInst-2018-2020-1
Régimen de financiación
SME-1 - SME instrument phase 1Coordinador
01099 Dresden
Alemania
Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.