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CORDIS - Resultados de investigaciones de la UE
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Next generation of memory for the age of IoT

Descripción del proyecto

Una nueva tecnología para futuros dispositivos del internet de las cosas

Más allá de los ordenadores portátiles y los teléfonos inteligentes, existen miles de millones de dispositivos conectados a internet, como por ejemplo una nevera inteligente que crea listas de la compra. En el núcleo de cualquier dispositivo del internet de las cosas (IdC o IoT, por sus siglas en inglés) se encuentran los microcontroladores (MCU, por sus siglas en inglés), los cuales disponen de transistores lógicos para procesar datos y de memoria no volátil incorporada (eNVM, por sus siglas en inglés) para almacenarlos. Además, la mayoría de los MCU se fabrican en nodos de 40 nm o más. Los nodos tecnológicos más pequeños, como los de 28 nm, auguran un consumo energético inferior y menores costes, lo cual resulta esencial para la adopción del IdC. En este contexto, el proyecto financiado con fondos europeos IoTMemory buscará una solución: una nueva tecnología de eNVM. En concreto, los investigadores trazarán un camino claro hacia las células de eNVM, incluso en nodos de 7 nm: el nodo tecnológico más avanzado actualmente disponible.

Objetivo

Serving the €17bn microcontroller industry: Every IoT device needs a microcontroller (MCU). Each MCU has logic transistors for processing data and eNVM (flash) for storing data, among other components. Most microcontrollers today are manufactured at 40nm nodes or above. Smaller technology nodes, like 28nm, promise lower power and lower cost, critical for IoT adoption. Logic transistor scale down fine to 28nm and below. But Flash does not scale down to smaller technology nodes – the effects of Moore’s law have hit a physical limit at 28nm for Flash memory; writing data will destroy them. Consequentially, the benefits of 28nm will be denied to MCU vendors, unless a new eNVM technology is found.
FeFET, the ferroelectric field effect transistor by FMC, is based on the discovery that hafnium oxide, the gate material of modern logic transistors, can be modified such that it becomes ferro-electric. By applying a positive or negative voltage, the material can store a 0 or 1. The gate remembers the state even when power is turned off – the transistor becomes a non-volatile memory cell. As hafnium oxide retains ferro electricity to at least 2nm film thickness, we have clear path to eNVM cells even at the 7nm node – the most advanced technology node available today.
In Phase 1, FMC wants to better understand the technical requirements in various sectors of the microcontroller market, develop a communication approach, and develop a detailed plan how to meet their application specific functional and performance requirements.
Today, FMC is focused on advancing its technology from TRL5 to TRL6 to satisfy minimum viable product properties ahead of commencing prototype production. In Phase 2, FMC will use the base technology to create a range of custom-specific memory macros that satisfy the requirement of different market segments and customer types (TRL7-8).
The company should reach more than 115M€ revenues by 2024 provided it can raise the required financing.

Ámbito científico (EuroSciVoc)

CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..

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Programa(s)

Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.

Tema(s)

Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.

Régimen de financiación

Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.

SME-1 - SME instrument phase 1

Ver todos los proyectos financiados en el marco de este régimen de financiación

Convocatoria de propuestas

Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.

(se abrirá en una nueva ventana) H2020-EIC-SMEInst-2018-2020

Ver todos los proyectos financiados en el marco de esta convocatoria

Coordinador

FERROELECTRIC MEMORY GMBH
Aportación neta de la UEn

Aportación financiera neta de la UE. Es la suma de dinero que recibe el participante, deducida la aportación de la UE a su tercero vinculado. Considera la distribución de la aportación financiera de la UE entre los beneficiarios directos del proyecto y otros tipos de participantes, como los terceros participantes.

€ 50 000,00
Dirección
CHARLOTTE-BUHLER-STR. 12
01099 Dresden
Alemania

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Pyme

Organización definida por ella misma como pequeña y mediana empresa (pyme) en el momento de la firma del acuerdo de subvención.

Región
Sachsen Dresden Dresden, Kreisfreie Stadt
Tipo de actividad
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Enlaces
Coste total

Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.

€ 71 429,00
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