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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
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Next generation of memory for the age of IoT

Descrizione del progetto

Una nuova tecnologia per i futuri dispositivi dell’Internet delle cose (IoT)

Al di là di laptop e smartphone, esistono miliardi di altri dispositivi connessi a Internet, come ad esempio i frigoriferi intelligenti capaci di stilare la lista della spesa. Il cuore di ogni tipo di dispositivo IoT è costituito da un microcontrollore provvisto di transistor logici per l’elaborazione dei dati e di una memoria non volatile incorporata per l’archiviazione dei dati. La gran parte dei microcontrollori è prodotta a nodi da 40 nm o superiori. I nodi tecnologici più piccoli, come ad esempio quelli di 28 nm, promettono una potenza e costi inferiori, un aspetto fondamentale per l’adozione dell’IoT. In questo contesto, il progetto IoTMemory, finanziato dall’UE, cercherà una soluzione, ovvero una nuova tecnologia di memoria non volatile incorporata. In particolare, i ricercatori delineeranno una via chiara verso celle di memoria non volatile incorporata anche a nodi da 7 nm, i più tecnologicamente avanzati attualmente disponibili.

Obiettivo

Serving the €17bn microcontroller industry: Every IoT device needs a microcontroller (MCU). Each MCU has logic transistors for processing data and eNVM (flash) for storing data, among other components. Most microcontrollers today are manufactured at 40nm nodes or above. Smaller technology nodes, like 28nm, promise lower power and lower cost, critical for IoT adoption. Logic transistor scale down fine to 28nm and below. But Flash does not scale down to smaller technology nodes – the effects of Moore’s law have hit a physical limit at 28nm for Flash memory; writing data will destroy them. Consequentially, the benefits of 28nm will be denied to MCU vendors, unless a new eNVM technology is found.
FeFET, the ferroelectric field effect transistor by FMC, is based on the discovery that hafnium oxide, the gate material of modern logic transistors, can be modified such that it becomes ferro-electric. By applying a positive or negative voltage, the material can store a 0 or 1. The gate remembers the state even when power is turned off – the transistor becomes a non-volatile memory cell. As hafnium oxide retains ferro electricity to at least 2nm film thickness, we have clear path to eNVM cells even at the 7nm node – the most advanced technology node available today.
In Phase 1, FMC wants to better understand the technical requirements in various sectors of the microcontroller market, develop a communication approach, and develop a detailed plan how to meet their application specific functional and performance requirements.
Today, FMC is focused on advancing its technology from TRL5 to TRL6 to satisfy minimum viable product properties ahead of commencing prototype production. In Phase 2, FMC will use the base technology to create a range of custom-specific memory macros that satisfy the requirement of different market segments and customer types (TRL7-8).
The company should reach more than 115M€ revenues by 2024 provided it can raise the required financing.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

SME-1 - SME instrument phase 1

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

(si apre in una nuova finestra) H2020-EIC-SMEInst-2018-2020

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

FERROELECTRIC MEMORY GMBH
Contributo netto dell'UE

Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.

€ 50 000,00
Indirizzo
CHARLOTTE-BUHLER-STR. 12
01099 Dresden
Germania

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PMI

L’organizzazione si è definita una PMI (piccola e media impresa) al momento della firma dell’accordo di sovvenzione.

Regione
Sachsen Dresden Dresden, Kreisfreie Stadt
Tipo di attività
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

€ 71 429,00
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