Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

Next generation of memory for the age of IoT

Opis projektu

Nowa technologia dla przyszłych urządzeń IoT

Poza laptopem i smartfonem miliardy innych urządzeń łączą się z internetem, na przykład inteligentne lodówki, które potrafią tworzyć listy zakupów. W samym sercu każdego urządzenia opartego na technologii IoT znajduje się mikrosterownik obejmujący tranzystory logiczne służące do przetwarzania danych oraz wbudowaną pamięć trwałą do przechowywania danych. Większość mikrosterowników produkuje się w technologii 40 nm lub wyższej. Technologie o mniejszych rozmiarach, na przykład 28 nm, cechują się niższym zużyciem energii i niższymi kosztami, co jest kluczowe dla wdrożenia IoT. W tym kontekście zespół finansowanego ze środków UE projektu IoTMemory zamierza zająć się poszukiwaniem rozwiązania – nowej technologii pamięci trwałej. W szczególności badacze utorują sobie drogę do produkcji ogniw pamięci trwałej w technologii nawet 7 nm, czyli najbardziej zaawansowanej technologii dostępnej obecnie na świecie.

Cel

Serving the €17bn microcontroller industry: Every IoT device needs a microcontroller (MCU). Each MCU has logic transistors for processing data and eNVM (flash) for storing data, among other components. Most microcontrollers today are manufactured at 40nm nodes or above. Smaller technology nodes, like 28nm, promise lower power and lower cost, critical for IoT adoption. Logic transistor scale down fine to 28nm and below. But Flash does not scale down to smaller technology nodes – the effects of Moore’s law have hit a physical limit at 28nm for Flash memory; writing data will destroy them. Consequentially, the benefits of 28nm will be denied to MCU vendors, unless a new eNVM technology is found.
FeFET, the ferroelectric field effect transistor by FMC, is based on the discovery that hafnium oxide, the gate material of modern logic transistors, can be modified such that it becomes ferro-electric. By applying a positive or negative voltage, the material can store a 0 or 1. The gate remembers the state even when power is turned off – the transistor becomes a non-volatile memory cell. As hafnium oxide retains ferro electricity to at least 2nm film thickness, we have clear path to eNVM cells even at the 7nm node – the most advanced technology node available today.
In Phase 1, FMC wants to better understand the technical requirements in various sectors of the microcontroller market, develop a communication approach, and develop a detailed plan how to meet their application specific functional and performance requirements.
Today, FMC is focused on advancing its technology from TRL5 to TRL6 to satisfy minimum viable product properties ahead of commencing prototype production. In Phase 2, FMC will use the base technology to create a range of custom-specific memory macros that satisfy the requirement of different market segments and customer types (TRL7-8).
The company should reach more than 115M€ revenues by 2024 provided it can raise the required financing.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

SME-1 - SME instrument phase 1

Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego programu finansowania

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

(odnośnik otworzy się w nowym oknie) H2020-EIC-SMEInst-2018-2020

Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego zaproszenia

Koordynator

FERROELECTRIC MEMORY GMBH
Wkład UE netto

Kwota netto dofinansowania ze środków Unii Europejskiej. Suma środków otrzymanych przez uczestnika, pomniejszona o kwotę unijnego dofinansowania przekazanego powiązanym podmiotom zewnętrznym. Uwzględnia podział unijnego dofinansowania pomiędzy bezpośrednich beneficjentów projektu i pozostałych uczestników, w tym podmioty zewnętrzne.

€ 50 000,00
Adres
CHARLOTTE-BUHLER-STR. 12
01099 Dresden
Niemcy

Zobacz na mapie

MŚP

Organizacja określiła się jako MŚP (firma z sektora małych i średnich przedsiębiorstw) w czasie podpisania umowy o grant.

Tak
Region
Sachsen Dresden Dresden, Kreisfreie Stadt
Rodzaj działalności
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Linki
Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

€ 71 429,00
Moja broszura 0 0