Projektbeschreibung
Neue Technologie für zukünftige Internet-der-Dinge-Geräte
Neben den Laptops und Smartphones gibt es noch Milliarden andere mit dem Internet verbundene Geräte; etwa den intelligenten Kühlschrank, der Einkaufslisten erstellen kann. Das Herzstück eines jeden Internet-der-Dinge-Geräts ist der Mikrocontroller, der über Logiktransistoren für die Datenverarbeitung und einen eingebetteten nichtflüchtigen Speicher für die Datenspeicherung verfügt. Die meisten Mikrocontroller werden im Bereich der 40-nm-Knoten und oberhalb davon hergestellt. Kleinere Technologieknoten, etwa 28 nm, versprechen einen geringeren Stromverbrauch und niedrigere Kosten, was für die Einführung des Internets der Dinge von entscheidender Bedeutung ist. In diesem Zusammenhang wird das EU-finanzierte Projekt IoTMemory nach einer Lösung, einer neuen Technologie für eingebettete nichtflüchtige Speicher, suchen. Im Einzelnen werden die Forschenden einen klaren Weg zu eingebetteten nichtflüchtigen Speicherzellen erarbeiten, der selbst für den 7-nm-Knoten, den fortschrittlichsten der heute verfügbaren Technologieknoten, geeignet ist.
Ziel
Serving the €17bn microcontroller industry: Every IoT device needs a microcontroller (MCU). Each MCU has logic transistors for processing data and eNVM (flash) for storing data, among other components. Most microcontrollers today are manufactured at 40nm nodes or above. Smaller technology nodes, like 28nm, promise lower power and lower cost, critical for IoT adoption. Logic transistor scale down fine to 28nm and below. But Flash does not scale down to smaller technology nodes – the effects of Moore’s law have hit a physical limit at 28nm for Flash memory; writing data will destroy them. Consequentially, the benefits of 28nm will be denied to MCU vendors, unless a new eNVM technology is found.
FeFET, the ferroelectric field effect transistor by FMC, is based on the discovery that hafnium oxide, the gate material of modern logic transistors, can be modified such that it becomes ferro-electric. By applying a positive or negative voltage, the material can store a 0 or 1. The gate remembers the state even when power is turned off – the transistor becomes a non-volatile memory cell. As hafnium oxide retains ferro electricity to at least 2nm film thickness, we have clear path to eNVM cells even at the 7nm node – the most advanced technology node available today.
In Phase 1, FMC wants to better understand the technical requirements in various sectors of the microcontroller market, develop a communication approach, and develop a detailed plan how to meet their application specific functional and performance requirements.
Today, FMC is focused on advancing its technology from TRL5 to TRL6 to satisfy minimum viable product properties ahead of commencing prototype production. In Phase 2, FMC will use the base technology to create a range of custom-specific memory macros that satisfy the requirement of different market segments and customer types (TRL7-8).
The company should reach more than 115M€ revenues by 2024 provided it can raise the required financing.
Wissenschaftliches Gebiet
- engineering and technologymechanical engineeringmanufacturing engineering
- natural sciencescomputer and information sciencesinternetinternet of things
- engineering and technologyelectrical engineering, electronic engineering, information engineeringelectronic engineeringsensorsoptical sensors
- natural scienceschemical sciencesinorganic chemistrytransition metals
- natural sciencescomputer and information sciencesartificial intelligencemachine learningdeep learning
Programm/Programme
Thema/Themen
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
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H2020-SMEInst-2018-2020-1
Finanzierungsplan
SME-1 - SME instrument phase 1Koordinator
01099 Dresden
Deutschland
Die Organisation definierte sich zum Zeitpunkt der Unterzeichnung der Finanzhilfevereinbarung selbst als KMU (Kleine und mittlere Unternehmen).