European Commission logo
français français
CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
CORDIS

Creating building blocks for atomic-scale electronics

Publications

Unveiling Alternating Current Electronic Properties at Ferroelectric Domain Walls

Auteurs: Jan Schultheiß, Tadej Rojac, Dennis Meier
Publié dans: Advanced Electronic Materials, 2021, ISSN 2199-160X
Éditeur: Wiley
DOI: 10.1002/aelm.202100996

Ferroelectric Domain Engineering Using Structural Defect Ordering

Auteurs: Elzbieta Gradauskaite; Kasper Hunnestad; Dennis Meier; Morgan Trassin; Quintin N. Meier
Publié dans: Chemistry of Materials, 34 (14), Numéro 4, 2022, ISSN 0897-4756
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.3929/ethz-b-000558395

Characterization of ferroelectric domain walls by scanning electron microscopy

Auteurs: K. A. Hunnestad; Erik Dobloug Roede; A. T. J. van Helvoort; Dennis Meier
Publié dans: Journal of Applied Physics, Numéro 1, 2020, ISSN 0021-8979
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0029284

Charged Ferroelectric Domain Walls for Deterministic ac Signal Control at the Nanoscale

Auteurs: Jan Schultheiß, Erik Lysne, Lukas Puntigam, Jakob Schaab, Edith Bourret, Zewu Yan, Stephan Krohns, and Dennis Meier
Publié dans: Nano Letters, 2021, ISSN 1530-6984
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c03182

The Third Dimension of Ferroelectric Domain Walls

Auteurs: Erik D. Roede; Konstantin Shapovalov; Thomas J. Moran; Aleksander B. Mosberg; Zewu Yan; Edith Bourret; Andres Cano; Bryan D. Huey; Antonius T. J. van Helvoort; Dennis Meier
Publié dans: Advanced Materials, 34 (36), Numéro 3, 2022, ISSN 0935-9648
Éditeur: United Nations Industrial Developement Organization
DOI: 10.3929/ethz-b-000563949

Ferroelectric domain walls for nanotechnology

Auteurs: Dennis Meier and Sverre M. Selbach
Publié dans: Nature Reviews Materials, 2022, ISSN 2058-8437
Éditeur: Nature Springer
DOI: 10.1038/s41578-021-00375-z

Moiré fringes in conductive atomic force microscopy

Auteurs: L. Richarz, J. He, U. Ludacka, E. Bourret, Z. Yan, A. T. J. van Helvoort, and D. Meier
Publié dans: Applied Physics Letters, Numéro 122, 2023, Page(s) 162903, ISSN 0003-6951
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0145173

Insulating improper ferroelectric domain walls as robust barrier layer capacitors

Auteurs: Lukas Puntigam, Jan Schultheiß, Ana Strinic, Zewu Yan, Edith Bourret, Markus Altthaler, István Kézsmárki, Donald M. Evans, Dennis Meier, and Stephan Krohns
Publié dans: Journal of Applied Physics, 2021, ISSN 0021-8979
Éditeur: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/5.0038300

Quantitative Mapping of Chemical Defects at Charged Grain Boundaries in a Ferroelectric Oxide

Auteurs: Kasper A. Hunnestad, Jan Schultheiß, Anders C. Mathisen, Ivan N. Ushakov, Constantinos Hatzoglou, Antonius T. J. van Helvoort, Dennis Meier
Publié dans: Advanced Materials, Numéro 35, 2023, Page(s) 2302543, ISSN 0935-9648
Éditeur: United Nations Industrial Developement Organization
DOI: 10.1002/adma.202302543

Correlating laser energy with compositional and atomic-level information of oxides in atom probe tomography

Auteurs: K.A. Hunnestad, C. Hatzoglou, F. Vurpillot, I.-E. Nylund, Z. Yan, E. Bourret, A.T.J. van Helvoort, D. Meier
Publié dans: Materials Characterization, Numéro 203, 2023, Page(s) 113085, ISSN 1044-5803
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.matchar.2023.113085

Pressure Control of Nonferroelastic Ferroelectric Domains in ErMnO<sub>3</sub>

Auteurs: Olav W. Sandvik; Aaron Merlin Müller; Håkon W. Ånes; Manuel Zahn; Jiali He; Manfred Fiebig; Thomas Lottermoser; Tadej Rojac; Dennis Meier; Jan Schultheiß
Publié dans: Nano Letters, Numéro 23, 2023, Page(s) 6994-7000, ISSN 1530-6984
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c01638

Confinement‐Driven Inverse Domain Scaling in Polycrystalline ErMnO <sub>3</sub>

Auteurs: Jan Schultheiß; Fei Xue; Erik Roede; Håkon W. Ånes; Frida H. Danmo; Sverre M. Selbach; Long‐Qing Chen; Dennis Meier
Publié dans: Advanced Materials, Numéro 2, 2022, ISSN 0935-9648
Éditeur: United Nations Industrial Developement Organization
DOI: 10.1002/adma.202203449

Magnetoelastic properties of multiferroic hexagonal ErMnO3

Auteurs: C.M. Fernandez-Posada, C.R.S. Haines, D.M. Evans, Z. Yan, E. Bourret, D. Meier, and M.A. Carpenter
Publié dans: Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2022, ISSN 0304-8853
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jmmm.2022.169277

Contact-free reversible switching of improper ferroelectric domains by electron and ion irradiation

Auteurs: Erik Dobloug Roede; Aleksander B. Mosberg; Donald M. Evans; Edith Bourret; Zewu Yan; Antonius T. J. van Helvoort; Dennis Meier
Publié dans: APL Materials, Numéro 9, 2021, Page(s) 021105, ISSN 2166-532X
Éditeur: AIP
DOI: 10.1063/5.0038909

Atomic-scale 3D imaging of individual dopant atoms in an oxide semiconductor

Auteurs: K. A. Hunnestad, C. Hatzoglou, Z. M. Khalid, P. E. Vullum, Z. Yan, E. Bourret, A. T. J. van Helvoort, S. M. Selbach, D. Meier
Publié dans: Nature Communications, Numéro 13, 2022, ISSN 2041-1723
Éditeur: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-022-32189-0

Introducing a Dynamic Reconstruction Methodology for Multilayered Structures in Atom Probe Tomography

Auteurs: Constantinos Hatzoglou, Gérald Da Costa, Peter Wells, Xiaochen Ren, Brian P Geiser, David J Larson, Remi Demoulin, Kasper Hunnestad, Etienne Talbot, Baishakhi Mazumder, Dennis Meier, François Vurpillot
Publié dans: Microscopy and Microanalysis, Numéro 29, 2023, Page(s) 1124–1136, ISSN 1435-8115
Éditeur: Oxford University Press
DOI: 10.1093/micmic/ozad054

Application of a long short-term memory for deconvoluting conductance contributions at charged ferroelectric domain walls

Auteurs: Theodor S. Holstad, Trygve M. Ræder, Donald M. Evans, Didirk R. Småbråten, Stephan Krohns, Jakob Schaab, Zewu Yan, Edith Bourret, Antonius T. J. van Helvoort, Tor Grande, Sverre M. Selbach, Joshua C. Agar, and Dennis Meier
Publié dans: npj Computational Materials, 2020, ISSN 2057-3960
Éditeur: Springer Nature
DOI: 10.1038/s41524-020-00426-z

Recherche de données OpenAIRE...

Une erreur s’est produite lors de la recherche de données OpenAIRE

Aucun résultat disponible