Descripción del proyecto
Un software de simulación ayudará a las arquitecturas a nanoescala a cumplir la promesa de ser más que la ley de Moore
Durante los últimos cincuenta años, la reducción del tamaño de los transistores ha permitido incluir cada vez más capacidad de procesamiento en chips del mismo tamaño, según predijo el cofundador de Intel, Gordon Moore, en los años sesenta del siglo pasado. La ley de Moore está alcanzando sus límites físicos y económicos; nuestra futura interconexión casi ilimitada dependerá de un cambio de paradigma. De la misma forma que los rascacielos son una solución para el crecimiento urbano, la integración secuencial tridimensional emergente podría aliviar los problemas a los que se enfrenta la tecnología de transistores bidimensionales de semiconductores metal-óxido complementario (CMOS). Llevar esta arquitectura a la nanoescala podría mejorar aún más los ya considerables beneficios. Sobre la base de un amplio trabajo experimental y en materia de datos, el proyecto MUNDFAB, financiado con fondos europeos, desarrolla los instrumentos de modelización y simulación necesarios para fomentar la innovación mediante la fabricación virtual de la próxima generación de dispositivos electrónicos a nanoescala.
Objetivo
Because of power, energy, and cost reasons, a further development of big data and mobility applications as well as the Internet of Things will require continued Power-Performance-Area-and-Cost (PPAC, formerly More Moore) scaling. This is predicted to lead within less than a decade to a paradigm change towards the 3D sequential integration of nanosized structures. While technology-computer aided design (TCAD) is indispensable now particularly for the early stages of industrial research and development, we face the situation that classical continuum tools lose their predictivity when going towards the nano world and towards the very low temperature processes required for 3D sequential integration. They are then neither able to predict the reduced electrical activation of dopants, nor topography effects like faceting, nor defect formation and growth. Accordingly, the NEREID NanoElectronics Roadmap for Europe explicitly requests to “…develop new tools taking into account all the new materials, technologies and device architectures…” To overcome the insufficient state of models and tools for a predictive simulation of low-temperature processing of high-mobility layers like silicon-germanium alloys, dedicated experimental investigations will be performed for solid-phase epitaxial regrowth, epitaxial deposition, and nanosecond laser annealing. Model development will be based whenever possible on the KMC and LKMC tools of Sentaurus Process, complemented by model development with own tools only when the functionality of commercial products is not sufficient. Own tools will be looped into the Sentaurus TCAD workflow so that in the end we will for the first time present a complete calibrated toolchain able to simulate the virtual fabrication of the3D sequential integration of nanoscaled devices. This will allow continuing further on the success story of the use of TCAD for the early development of the next generations of unconventional nanoscaled electron devices.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural.
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Palabras clave
Programa(s)
Convocatoria de propuestas
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H2020-ICT-2019-2
Régimen de financiación
RIA - Research and Innovation actionCoordinador
80686 Munchen
Alemania