Description du projet
Des logiciels de simulation vont aider les nano-architectures à tenir les promesses du «more than Moore»
Au cours des 50 dernières années, la miniaturisation des transistors a permis d’améliorer sans cesse les capacités de traitement des puces d’une taille donnée, confirmant ainsi les prévisions du co-fondateur d’Intel, Gordon Moore, dans les années 1960. La loi de Moore atteint ses limites physiques et économiques: il faut donc un changement de paradigme pour que la perspective d’un monde d’interconnexions quasiment illimitées puisse devenir réalité. De la même manière que les tours d’habitation offrent une solution à la croissance urbaine, la technologie émergente de l’intégration séquentielle 3D pourrait atténuer les problèmes rencontrés par la technologie des transistors CMOS 2D. Réduire ce type d’architecture à l’échelle nanométrique permettrait en outre de renforcer ses avantages déjà considérables. S’appuyant sur des travaux expérimentaux et des données à grande échelle, le projet MUNDFAB, financé par l’UE, développe les outils de modélisation et de simulation requis pour y parvenir, qui favoriseront l’innovation grâce à la fabrication virtuelle de la prochaine génération de dispositifs électroniques à l’échelle nanométrique.
Objectif
Because of power, energy, and cost reasons, a further development of big data and mobility applications as well as the Internet of Things will require continued Power-Performance-Area-and-Cost (PPAC, formerly More Moore) scaling. This is predicted to lead within less than a decade to a paradigm change towards the 3D sequential integration of nanosized structures. While technology-computer aided design (TCAD) is indispensable now particularly for the early stages of industrial research and development, we face the situation that classical continuum tools lose their predictivity when going towards the nano world and towards the very low temperature processes required for 3D sequential integration. They are then neither able to predict the reduced electrical activation of dopants, nor topography effects like faceting, nor defect formation and growth. Accordingly, the NEREID NanoElectronics Roadmap for Europe explicitly requests to “…develop new tools taking into account all the new materials, technologies and device architectures…” To overcome the insufficient state of models and tools for a predictive simulation of low-temperature processing of high-mobility layers like silicon-germanium alloys, dedicated experimental investigations will be performed for solid-phase epitaxial regrowth, epitaxial deposition, and nanosecond laser annealing. Model development will be based whenever possible on the KMC and LKMC tools of Sentaurus Process, complemented by model development with own tools only when the functionality of commercial products is not sufficient. Own tools will be looped into the Sentaurus TCAD workflow so that in the end we will for the first time present a complete calibrated toolchain able to simulate the virtual fabrication of the3D sequential integration of nanoscaled devices. This will allow continuing further on the success story of the use of TCAD for the early development of the next generations of unconventional nanoscaled electron devices.
Champ scientifique (EuroSciVoc)
CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: https://op.europa.eu/en/web/eu-vocabularies/euroscivoc.
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Mots‑clés
Programme(s)
Appel à propositions
(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) H2020-ICT-2018-20
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Régime de financement
RIA - Research and Innovation actionCoordinateur
80686 Munchen
Allemagne