Opis projektu
Oprogramowanie symulacyjne umożliwi przełamanie dyktatu prawa Moore’a w architekturach nanoskalowych
Przez ostatnie 50 lat obserwowaliśmy wzrost mocy obliczeniowych przy jednoczesnym zmniejszaniu rozmiarów układów dzięki coraz mniejszym rozmiarom tranzystorów, zgodnie z przewidywaniami Gordona Moore’a, jednego z założycieli firmy Intel, który w latach 60. XX wieku wygłosił swoje słynne prawo. Obecnie zbliżamy się do granic fizycznych oraz ekonomicznych w kwestii dalszego zmniejszania tranzystorów, zatem budowa prawdziwie połączonego świata przyszłości będzie wymagała całkowitej zmiany paradygmatu. Podobnie jak wieżowce stanowią idealne rozwiązanie problemu rosnącej urbanizacji, nowe technologie integracji sekwencyjnej 3D mogą rozwiązać problemy wynikające ze stosowania technologii dwuwymiarowych tranzystorów CMOS. Sprowadzenie tej architektury do nanoskali mogłoby dodatkowo rozszerzyć znaczący zakres korzyści płynących z tego rozwiązania. Opierając się na wynikach szeroko zakrojonych prac doświadczalnych oraz danych, uczestnicy finansowanego przez Unię Europejską projektu MUNDFAB opracowują niezbędne narzędzia do modelowania i symulacji, które umożliwią rozwój nowych rozwiązań dzięki realizacji urządzeń nanoskalowych nowej generacji w wersji cyfrowej.
Cel
Because of power, energy, and cost reasons, a further development of big data and mobility applications as well as the Internet of Things will require continued Power-Performance-Area-and-Cost (PPAC, formerly More Moore) scaling. This is predicted to lead within less than a decade to a paradigm change towards the 3D sequential integration of nanosized structures. While technology-computer aided design (TCAD) is indispensable now particularly for the early stages of industrial research and development, we face the situation that classical continuum tools lose their predictivity when going towards the nano world and towards the very low temperature processes required for 3D sequential integration. They are then neither able to predict the reduced electrical activation of dopants, nor topography effects like faceting, nor defect formation and growth. Accordingly, the NEREID NanoElectronics Roadmap for Europe explicitly requests to “…develop new tools taking into account all the new materials, technologies and device architectures…” To overcome the insufficient state of models and tools for a predictive simulation of low-temperature processing of high-mobility layers like silicon-germanium alloys, dedicated experimental investigations will be performed for solid-phase epitaxial regrowth, epitaxial deposition, and nanosecond laser annealing. Model development will be based whenever possible on the KMC and LKMC tools of Sentaurus Process, complemented by model development with own tools only when the functionality of commercial products is not sufficient. Own tools will be looped into the Sentaurus TCAD workflow so that in the end we will for the first time present a complete calibrated toolchain able to simulate the virtual fabrication of the3D sequential integration of nanoscaled devices. This will allow continuing further on the success story of the use of TCAD for the early development of the next generations of unconventional nanoscaled electron devices.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego.
- nauki przyrodniczeinformatykainternet
- nauki przyrodniczeinformatykanauka o danychduże zbiory danych
- nauki przyrodniczenauki fizyczneastronomiaplanetologiageologia planetarna
- nauki przyrodniczenauki fizyczneoptykafizyka laserów
- inżynieria i technologiananotechnologiananoelektronika
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Słowa kluczowe
Program(-y)
Zaproszenie do składania wniosków
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszeniaSzczegółowe działanie
H2020-ICT-2019-2
System finansowania
RIA - Research and Innovation actionKoordynator
80686 Munchen
Niemcy