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Modeling Unconventional Nanoscaled Device FABrication

Descrizione del progetto

Un software di simulazione aiuterà le architetture in nanoscala a superare la legge di Moore

Negli ultimi 50 anni, il ridimensionamento dei transistor ha permesso di mettere su chip sempre più capacità di elaborazione a parità di dimensioni, secondo le previsioni del co-fondatore di Intel, Gordon Moore, negli anni sessanta. La legge di Moore sta raggiungendo i suoi limiti fisici ed economici e la nostra futura interconnessione virtualmente illimitata dipenderà da un cambiamento di paradigma. Così come i grattacieli sono una soluzione alla crescita urbana, l’emergente integrazione sequenziale 3D potrebbe alleviare i problemi della tecnologia a transistor CMOS 2D. Ridurre questa architettura in scala nanometrica potrebbe migliorare ulteriormente i già notevoli vantaggi. Sulla base di un ampio lavoro e di dati sperimentali, il progetto MUNDFAB, finanziato dall’UE, sta sviluppando i necessari strumenti di modellazione e simulazione che favoriranno l’innovazione attraverso la fabbricazione virtuale della prossima generazione di dispositivi elettronici su scala nanometrica.

Obiettivo

Because of power, energy, and cost reasons, a further development of big data and mobility applications as well as the Internet of Things will require continued Power-Performance-Area-and-Cost (PPAC, formerly More Moore) scaling. This is predicted to lead within less than a decade to a paradigm change towards the 3D sequential integration of nanosized structures. While technology-computer aided design (TCAD) is indispensable now particularly for the early stages of industrial research and development, we face the situation that classical continuum tools lose their predictivity when going towards the nano world and towards the very low temperature processes required for 3D sequential integration. They are then neither able to predict the reduced electrical activation of dopants, nor topography effects like faceting, nor defect formation and growth. Accordingly, the NEREID NanoElectronics Roadmap for Europe explicitly requests to “…develop new tools taking into account all the new materials, technologies and device architectures…” To overcome the insufficient state of models and tools for a predictive simulation of low-temperature processing of high-mobility layers like silicon-germanium alloys, dedicated experimental investigations will be performed for solid-phase epitaxial regrowth, epitaxial deposition, and nanosecond laser annealing. Model development will be based whenever possible on the KMC and LKMC tools of Sentaurus Process, complemented by model development with own tools only when the functionality of commercial products is not sufficient. Own tools will be looped into the Sentaurus TCAD workflow so that in the end we will for the first time present a complete calibrated toolchain able to simulate the virtual fabrication of the3D sequential integration of nanoscaled devices. This will allow continuing further on the success story of the use of TCAD for the early development of the next generations of unconventional nanoscaled electron devices.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

Parole chiave

Programma(i)

Argomento(i)

Meccanismo di finanziamento

RIA - Research and Innovation action

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

(si apre in una nuova finestra) H2020-ICT-2018-20

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Coordinatore

FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG EV
Contributo netto dell'UE
€ 746 047,50
Indirizzo
HANSASTRASSE 27C
80686 Munchen
Germania
Regione
Bayern Oberbayern München, Kreisfreie Stadt
Tipo di attività
Research Organisations
Collegamenti
Costo totale
€ 746 047,50

Partecipanti (7)