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Novel approach to Area selective Deposition for BEOL Interconnect Applications

Descripción del proyecto

Un nuevo enfoque de los patrones a nanoescala

Los patrones de materiales a nanoescala son cada vez más cruciales para muchos dispositivos, especialmente en el «back-end» de la línea de proceso. Ante el nuevo nodo de 10 nm de Intel, deben desarrollarse nuevas formas de dominar la deposición selectiva de materiales a nanoescala. La deposición selectiva puede generar un cambio de paradigma a la hora de crear patrones en futuros nodos de la tecnología de semiconductores. Con esto en mente, el proyecto financiado con fondos europeos NADIA tiene como objetivo demostrar el control espacial sobre una fina película depositada. Para ello, empleará deposición de área selectiva (ASD, por sus siglas en inglés) por deposición de capas atómicas. Esta técnica presenta una serie de posibles ventajas para el procesamiento de dispositivos futuros y puede ayudar a superar las dificultades de integración de procesos en los nodos de menos de 10 nm.

Objetivo

The need for area selective deposition (ASD): Nanoscale patterning of materials is becoming a key issue for a broad range of devices, especially
in the back end of line (BEOL). With the introduction of Intel’s latest 10nm node earlier this year, it is vital to develop new ways to master selective
deposition of materials at the nanoscale, preferably without the use of lithographic and etching steps, as they can be time-consuming, expensive
and mainly subtractive processes. Novel concepts are thus needed to enhance local deposition while decreasing the use of expensive
technological steps. Selective deposition is expected to lead to a paradigm shift in patterning at future semiconductor technology nodes. Area
Selective Deposition (ASD) by ALD brings several potential benefits for future device processing and provides a route to overcome process
integration challenges at the sub 10 nm nodes, i.e. overlay and lithographic misalignment related issues both in the front end of line (FEOL) and
back end of line (BEOL) schemes. Essentially, what ASD gives is spatial control over a deposited thin film. This is the objective of the innovative
NADIA proposal which is now a very relevant topic.

Coordinador

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Aportación neta de la UEn
€ 178 320,00
Dirección
KAPELDREEF 75
3001 Leuven
Bélgica

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Región
Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven
Tipo de actividad
Research Organisations
Enlaces
Coste total
€ 178 320,00