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Novel approach to Area selective Deposition for BEOL Interconnect Applications

Projektbeschreibung

Neuer Ansatz für die Strukturierung im Nanometerbereich

Werkstoffe im Nanometerbereich zu strukturieren, wird bei vielen Bauelementen immer wichtiger, was besonders für den Back-End-of-Line-Bereich gilt. Angesichts des neuesten 10 nm-Technologieknotens von Intel müssen neue Wege begangen werden, um die selektive Abscheidung von Materialien im Nanometerbereich zu meistern. Selektive Abscheidung kann einen Paradigmenwechsel in Sachen Strukturierung an zukünftigen Knoten der Halbleitertechnik bewirken. Vor diesem Hintergrund zielt das EU-finanzierte Projekt NADIA auf eine Demonstration der räumlichen Kontrolle über eine abgeschiedene Dünnschicht ab. Zu diesem Zweck wird die flächenselektive Abscheidung durch Atomlagenabscheidung eingesetzt. Hier sind gewisse Vorteile für die zukünftige Bauelementebearbeitung zu erwarten. Möglicherweise können auf diese Weise die Herausforderungen der Prozessintegration an den Technologieknoten unterhalb von 10 nm bewältigt werden.

Ziel

The need for area selective deposition (ASD): Nanoscale patterning of materials is becoming a key issue for a broad range of devices, especially
in the back end of line (BEOL). With the introduction of Intel’s latest 10nm node earlier this year, it is vital to develop new ways to master selective
deposition of materials at the nanoscale, preferably without the use of lithographic and etching steps, as they can be time-consuming, expensive
and mainly subtractive processes. Novel concepts are thus needed to enhance local deposition while decreasing the use of expensive
technological steps. Selective deposition is expected to lead to a paradigm shift in patterning at future semiconductor technology nodes. Area
Selective Deposition (ASD) by ALD brings several potential benefits for future device processing and provides a route to overcome process
integration challenges at the sub 10 nm nodes, i.e. overlay and lithographic misalignment related issues both in the front end of line (FEOL) and
back end of line (BEOL) schemes. Essentially, what ASD gives is spatial control over a deposited thin film. This is the objective of the innovative
NADIA proposal which is now a very relevant topic.

Koordinator

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Netto-EU-Beitrag
€ 178 320,00
Adresse
KAPELDREEF 75
3001 Leuven
Belgien

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Region
Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven
Aktivitätstyp
Research Organisations
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Gesamtkosten
€ 178 320,00