Opis projektu DEENESFRITPL Nowe podejście do technologii nanowzorcowania Nanowzorcowanie materiałów staje się technologią kluczową dla opracowywania wielu rozwiązań i urządzeń, zwłaszcza tych charakteryzujących się największą wydajnością. Biorąc pod uwagę niedawne wprowadzenie nowego 10-nm procesu technologicznego przez firmę Intel, konieczne staje się opracowanie nowych technologii selektywnego osadzania materiałów w nanoskali. Selektywne osadzanie może stanowić prawdziwy przełom, umożliwiający opracowanie nowych procesów technologicznych produkcji półprzewodników. Wiedzą o tym uczestnicy finansowanego przez Unię Europejską projektu NADIA, którzy zamierzają zaprezentować technikę kontroli przestrzennej osadzanej cienkiej warstwy. W tym celu zamierzają wykorzystać metodę osadzania warstw atomowych w roli techniki osadzania selektywnego. Takie rozwiązanie może przynieść szereg korzyści producentom urządzeń oraz pomóc w rozwiązaniu problemów związanych z integracją w procesach technologicznych poniżej 10 nm. Pokaż cel projektu Ukryj cel projektu Cel The need for area selective deposition (ASD): Nanoscale patterning of materials is becoming a key issue for a broad range of devices, especiallyin the back end of line (BEOL). With the introduction of Intel’s latest 10nm node earlier this year, it is vital to develop new ways to master selectivedeposition of materials at the nanoscale, preferably without the use of lithographic and etching steps, as they can be time-consuming, expensiveand mainly subtractive processes. Novel concepts are thus needed to enhance local deposition while decreasing the use of expensivetechnological steps. Selective deposition is expected to lead to a paradigm shift in patterning at future semiconductor technology nodes. AreaSelective Deposition (ASD) by ALD brings several potential benefits for future device processing and provides a route to overcome processintegration challenges at the sub 10 nm nodes, i.e. overlay and lithographic misalignment related issues both in the front end of line (FEOL) andback end of line (BEOL) schemes. Essentially, what ASD gives is spatial control over a deposited thin film. This is the objective of the innovativeNADIA proposal which is now a very relevant topic. Dziedzina nauki engineering and technologymaterials engineeringcoating and filmsnatural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivity Słowa kluczowe Self-assembled Monolayers (SAM) Area Selective Deposition (ASD) Atomic Layer Etch (ALE) nanoelectronics nano patterning cyclic passivation 10nm technology node interconnects back end of line (BEOL) Program(-y) H2020-EU.1.3. - EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions Main Programme H2020-EU.1.3.2. - Nurturing excellence by means of cross-border and cross-sector mobility Temat(-y) MSCA-IF-2019 - Individual Fellowships Zaproszenie do składania wniosków H2020-MSCA-IF-2019 Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszenia System finansowania MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF) Koordynator INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM Wkład UE netto € 178 320,00 Adres KAPELDREEF 75 3001 Leuven Belgia Zobacz na mapie Region Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven Rodzaj działalności Research Organisations Linki Kontakt z organizacją Opens in new window Strona internetowa Opens in new window Uczestnictwo w unijnych programach w zakresie badań i innowacji Opens in new window sieć współpracy HORIZON Opens in new window Koszt całkowity € 178 320,00
