Descrizione del progetto DEENESFRITPL Un nuovo approccio alla nanostrutturazione La nanostrutturazione dei materiali sta diventando fondamentale per molti dispositivi, specialmente in fase «back-end of line», dove vengono interconnessi i singoli dispositivi. Considerando l’ultimo nodo a 10 nm di Intel, è necessario sviluppare nuovi metodi per controllare meglio la deposizione selettiva di materiali su scala nanometrica. La deposizione selettiva potrebbe grosse novità nella strutturazione dei futuri nodi della tecnologia dei semiconduttori. In quest’ottica, il progetto NADIA, finanziato dall’UE, si propone di dimostrare il controllo spaziale su un film sottile depositato. A tal fine, farà uso della deposizione selettiva di area mediante la deposizione dello strato atomico, creando una serie di possibili vantaggi per la futura elaborazione di dispositivi e aiutando a superare le sfide di integrazione del processo per nodi inferiori a 10 nm. Mostra l’obiettivo del progetto Nascondi l’obiettivo del progetto Obiettivo The need for area selective deposition (ASD): Nanoscale patterning of materials is becoming a key issue for a broad range of devices, especiallyin the back end of line (BEOL). With the introduction of Intel’s latest 10nm node earlier this year, it is vital to develop new ways to master selectivedeposition of materials at the nanoscale, preferably without the use of lithographic and etching steps, as they can be time-consuming, expensiveand mainly subtractive processes. Novel concepts are thus needed to enhance local deposition while decreasing the use of expensivetechnological steps. Selective deposition is expected to lead to a paradigm shift in patterning at future semiconductor technology nodes. AreaSelective Deposition (ASD) by ALD brings several potential benefits for future device processing and provides a route to overcome processintegration challenges at the sub 10 nm nodes, i.e. overlay and lithographic misalignment related issues both in the front end of line (FEOL) andback end of line (BEOL) schemes. Essentially, what ASD gives is spatial control over a deposited thin film. This is the objective of the innovativeNADIA proposal which is now a very relevant topic. Campo scientifico engineering and technologymaterials engineeringcoating and filmsnatural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivity Parole chiave Self-assembled Monolayers (SAM) Area Selective Deposition (ASD) Atomic Layer Etch (ALE) nanoelectronics nano patterning cyclic passivation 10nm technology node interconnects back end of line (BEOL) Programma(i) H2020-EU.1.3. - EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions Main Programme H2020-EU.1.3.2. - Nurturing excellence by means of cross-border and cross-sector mobility Argomento(i) MSCA-IF-2019 - Individual Fellowships Invito a presentare proposte H2020-MSCA-IF-2019 Vedi altri progetti per questo bando Meccanismo di finanziamento MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF) Coordinatore INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM Contribution nette de l'UE € 178 320,00 Indirizzo KAPELDREEF 75 3001 Leuven Belgio Mostra sulla mappa Regione Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven Tipo di attività Research Organisations Collegamenti Contatta l’organizzazione Opens in new window Sito web Opens in new window Partecipazione a programmi di R&I dell'UE Opens in new window Rete di collaborazione HORIZON Opens in new window Costo totale € 178 320,00
