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3D IC Design Flow for Hybrid-bonding 3D System on Chip

Descrizione del progetto

Un nuovo modello di processo ci permetterà di ottenere più da Moore

La legge di Moore, formulata in principio nel 1965 da Gordon Moore e rivista più tardi per rispecchiare una crescita persino superiore, afferma che il numero di transistori su un microprocessore integrato è destinato a duplicarsi ogni due anni. Tale crescita esponenziale è alla base di quasi tutta la tecnologia che utilizziamo al giorno d’oggi. La constatazione che la legge di Moore stia sfiorando il suo limite fisico rappresenta l’origine di una nuova era all’insegna dell’innovazione. I circuiti integrati a tre dimensioni (3D) rappresentano uno dei modi migliori per ottenere di più dalla legge di Moore. Il legame ibrido sta rapidamente guadagnando terreno ed è ritenuto essere il miglior modo per formare interconnessioni ad alta densità e l’integrazione 3D. Il progetto H-3D-SOC, finanziato dall’UE, sta realizzando il primo insieme di istruzioni (flusso di progettazione) per l’elaborazione di sistemi su chip 3D con legame ibrido. Il progetto è incentrato su piastre metalliche incorporate nell’interfaccia di saldatura che permettono collegamenti faccia a faccia dei wafer e la sovrapposizione dei dispositivi, il che potrebbe far avanzare notevolmente lo sviluppo di processori di fascia alta.

Obiettivo

As the device size is shrunk to its quantum limit, Moore’s law is becoming more difficult to follow. By exploiting the z-direction in the gate, block or system level, three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) technology has the potential to extend Moore’s law. Face-to-face wafer by wafer Hybrid-bonding (H-b) based 3D System-On-Chip (H-3D-SOC) is one of the most promising 3D IC solutions. However, an exclusive IC design flow for H-3D-SOC for high-end processor with parameters of H-b pads from process is not available yet. This proposal aims at developing the first H-3D-SOC IC design flow for a two-tier multi-core processor considering the impact of process variation of H-b, including the geometrical and defects variation, leading to its resistance and capacitance change. Several novel methods will be developed for the H-3D-SOC IC design: machine-learning inspired techniques exploited to guide the top and bottom tiers netlist partitioning; two-tier mutual-aware optimization realized during placement and routing; capacitance coupling between the top metal layers of the two tiers considered during parasitic extraction. Moreover, impact of H-b pad parameter variation will be evaluated from the device level up to the system level: electrical variability modelling for the H-b pad, calibrated by experimental data; incorporating the device model of the pad into the H-3D-SOC based multi-core processor characterized by various industrial benchmarks. To mitigate the H-b variability, the critical H-b pads of higher utilization and larger potential to fail during working can be first identified efficiently by using a heuristic search algorithm and then hardened by attaching a spare pad to each of them. The proposed research will enable the applicant to become an expert of 3D IC design of high-end processors for applications such as AI and cloud computing, having great impact on both academia and industry of semiconductor.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: https://op.europa.eu/it/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

MSCA-IF-EF-ST - Standard EF

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

(si apre in una nuova finestra) H2020-MSCA-IF-2019

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Contributo netto dell'UE

Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.

€ 178 320,00
Indirizzo
KAPELDREEF 75
3001 Leuven
Belgio

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Regione
Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven
Tipo di attività
Research Organisations
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

€ 178 320,00
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