Skip to main content
Weiter zur Homepage der Europäischen Kommission (öffnet in neuem Fenster)
Deutsch de
CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
CORDIS

Automated inspection tool to unveil defects in raw Silicon Carbide crystals.

Projektbeschreibung

Ein neues Instrument zur Bewertung von Kristalldefekten in Siliziumkarbid

Siliziumkarbid ist ein Ausgangsmaterial für Halbleiter, das aus reinem Silizium und reinem Kohlenstoff besteht. Seine Eigenschaften eignen sich besonders gut für eine Vielzahl an Elektronikkomponenten und -geräten, die in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energieanwendungen und verschiedenen industriellen Anwendungen zum Einsatz kommen. Es kann wesentlich höheren Spannungen, Frequenzen und Temperaturen widerstehen, als herkömmliches Silizium. Allerdings hat sich die Kommerzialisierung vieler elektronischer Geräte auf Basis von Siliziumkarbid als schwierig herausgestellt, da eine breite Palette an Defekten auftrat. Das EU-finanzierte Projekt SiC_Scope plant die Entwicklung eines automatisierten Überprüfungsinstruments, das den Herstellerinnen und Herstellern ermöglicht, Defekte an den Siliziumkarbidkristallen zu bewerten, bevor letztere in die kostspielige Verarbeitungsphase gelangen. Das neue Instrument wird die Halbleiterherstellungsbranche dabei unterstützen, den Wachstumsprozess und die Qualität der Kristalle zu verbessern.

Ziel

Silicon Carbide (SiC) is emerging semiconductor crystal for high-power electronics. There is great demand from Electric Vehicles and Power Generation industries for SiC devices that enable to operate at higher power, higher voltages, higher temperatures, and higher frequencies, compare to traditional silicon. On top of it SiC wafers reduce energy loss at electric power control, contributing to the reduction of energy use and the environmental stress.

Unfortunately high defectiveness of produced SiC crystals is a stumbling block in its wide-spread use in electronics. Today defective volume in SiC crystals could reach 50%, and the defects are unveiled only after crystal processing, wafering and, in many cases, polishing wafers. This process is considerably costly because SiC is one of the hardest materials with hardness just below diamond.

This project is to develop an automated inspection tool to enable manufacturers to assess defectiveness of SiC crystals before they enter costly processing. It will help semiconductor manufacturers to save resources on slicing and polishing initially defective crystals, and provide insight into the crystal quality to improve the growth process.

I am PhD in Physics who studied Material science, crystal growth and characterisation. The project will be carried out at the Swiss company Scientific Visual, that has developed quality inspection tools for other industrial crystals, and it is to expand its technology to Silicon Carbide.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

Schlüsselbegriffe

Programm/Programme

Thema/Themen

Finanzierungsplan

MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)

Alle im Rahmen dieses Finanzierungsinstruments finanzierten Projekte anzeigen

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

(öffnet in neuem Fenster) H2020-MSCA-IF-2019

Alle im Rahmen dieser Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen finanzierten Projekte anzeigen

Koordinator

SCIENTIFIC VISUAL SA
Netto-EU-Beitrag
€ 203 149,44
Adresse
8, CHEMIN DES ALLINGES
1006 Lausanne
Schweiz
KMU
Ja
Region
Schweiz/Suisse/Svizzera Région lémanique Vaud
Aktivitätstyp
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Links
Gesamtkosten
€ 203 149,44