Objetivo
The Low-T Si-epi network programme combines two main topics: preparation of epitaxial Si and SiGe layers at low temperatures and the characterization of these materials, and the application of these layers in working devices. The low temperature is essential for creating well defined, sharp concentration transitions between different layers with well controlled thicknesses, and for not disturbing already existing profiles in the substrates. Attention will be devoted to selective and differential growth.For epi-growth, all existing techniques are involved: UHV-CVD, LPCVD, RTCVD, APCVD, GSMBE, SSMBE. As characterization techniques, SIMS, TEM, RBS, AFM, X-ray diffraction, optical miscroscopy a.o. will be used. The layers thus fabricated will be applied in several types of devices; among these are both p-type and n-type modulation doped layers for 2D hole and electron gas structures. Simultaneously, the influence of the layer parameters such as spaces and quantum well thickness on carrier mobilities will be studied. SiGe-layers with a very high Ge-content will be used for Real Space Transport Transistors. Si/SiGe quantum wells will be used for integrated matrix IR detectors. Also, demonstration of submicron Si/SiGe quantum well MOS transistors is planned.
A thorough study of silicon nucleation has been performed on ultrahigh vacuum (UHV) chemical vapour deposition (CVD) grown layers. Multilayers for 2-dimensional electron and hole confinement have been grown with excellent results. Silicon on silicon germanide multiquantum well structures have been grown with in situ spectroscopic ellipsometric measurements; these layers have been used for infrared absorption detectors. Selective growth of silicon and silicon germanide layers has been realized in gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) as well as in low pressure chemical vapour deposition (LPCVD). Layers from the latter were studied with respect to growth uniformity and relaxation in small pads for application in resonant tunnelling diode structures. RTCVD grown P-channel metal oxide semiconductor (PMOS) structures have been processed to quantum wave (QW) metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET), for which a number of critical processing steps had to be optimized to the low temperature constraints. A general model has been developed for optical absorption in n-type indirect QWs as a function of growth direction for infrared/quantum well detectors; germanium is found to be the best material in groups III, IV and V.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
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- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica compuestos inorgánicos
- ciencias naturales ciencias físicas electromagnetismo y electrónica dispositivo semiconductor
- ciencias naturales ciencias químicas química inorgánica metaloides
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
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Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Datos no disponibles
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
Datos no disponibles
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Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Coordinador
3001 HEVERLEE
Bélgica
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.