Obiettivo
The Low-T Si-epi network programme combines two main topics: preparation of epitaxial Si and SiGe layers at low temperatures and the characterization of these materials, and the application of these layers in working devices. The low temperature is essential for creating well defined, sharp concentration transitions between different layers with well controlled thicknesses, and for not disturbing already existing profiles in the substrates. Attention will be devoted to selective and differential growth.For epi-growth, all existing techniques are involved: UHV-CVD, LPCVD, RTCVD, APCVD, GSMBE, SSMBE. As characterization techniques, SIMS, TEM, RBS, AFM, X-ray diffraction, optical miscroscopy a.o. will be used. The layers thus fabricated will be applied in several types of devices; among these are both p-type and n-type modulation doped layers for 2D hole and electron gas structures. Simultaneously, the influence of the layer parameters such as spaces and quantum well thickness on carrier mobilities will be studied. SiGe-layers with a very high Ge-content will be used for Real Space Transport Transistors. Si/SiGe quantum wells will be used for integrated matrix IR detectors. Also, demonstration of submicron Si/SiGe quantum well MOS transistors is planned.
A thorough study of silicon nucleation has been performed on ultrahigh vacuum (UHV) chemical vapour deposition (CVD) grown layers. Multilayers for 2-dimensional electron and hole confinement have been grown with excellent results. Silicon on silicon germanide multiquantum well structures have been grown with in situ spectroscopic ellipsometric measurements; these layers have been used for infrared absorption detectors. Selective growth of silicon and silicon germanide layers has been realized in gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) as well as in low pressure chemical vapour deposition (LPCVD). Layers from the latter were studied with respect to growth uniformity and relaxation in small pads for application in resonant tunnelling diode structures. RTCVD grown P-channel metal oxide semiconductor (PMOS) structures have been processed to quantum wave (QW) metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET), for which a number of critical processing steps had to be optimized to the low temperature constraints. A general model has been developed for optical absorption in n-type indirect QWs as a function of growth direction for infrared/quantum well detectors; germanium is found to be the best material in groups III, IV and V.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
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- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica composti inorganici
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica semiconduttività
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalloidi
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Dati non disponibili
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
3001 HEVERLEE
Belgio
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.