Ziel
The Low-T Si-epi network programme combines two main topics: preparation of epitaxial Si and SiGe layers at low temperatures and the characterization of these materials, and the application of these layers in working devices. The low temperature is essential for creating well defined, sharp concentration transitions between different layers with well controlled thicknesses, and for not disturbing already existing profiles in the substrates. Attention will be devoted to selective and differential growth.For epi-growth, all existing techniques are involved: UHV-CVD, LPCVD, RTCVD, APCVD, GSMBE, SSMBE. As characterization techniques, SIMS, TEM, RBS, AFM, X-ray diffraction, optical miscroscopy a.o. will be used. The layers thus fabricated will be applied in several types of devices; among these are both p-type and n-type modulation doped layers for 2D hole and electron gas structures. Simultaneously, the influence of the layer parameters such as spaces and quantum well thickness on carrier mobilities will be studied. SiGe-layers with a very high Ge-content will be used for Real Space Transport Transistors. Si/SiGe quantum wells will be used for integrated matrix IR detectors. Also, demonstration of submicron Si/SiGe quantum well MOS transistors is planned.
A thorough study of silicon nucleation has been performed on ultrahigh vacuum (UHV) chemical vapour deposition (CVD) grown layers. Multilayers for 2-dimensional electron and hole confinement have been grown with excellent results. Silicon on silicon germanide multiquantum well structures have been grown with in situ spectroscopic ellipsometric measurements; these layers have been used for infrared absorption detectors. Selective growth of silicon and silicon germanide layers has been realized in gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) as well as in low pressure chemical vapour deposition (LPCVD). Layers from the latter were studied with respect to growth uniformity and relaxation in small pads for application in resonant tunnelling diode structures. RTCVD grown P-channel metal oxide semiconductor (PMOS) structures have been processed to quantum wave (QW) metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET), for which a number of critical processing steps had to be optimized to the low temperature constraints. A general model has been developed for optical absorption in n-type indirect QWs as a function of growth direction for infrared/quantum well detectors; germanium is found to be the best material in groups III, IV and V.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie anorganische Verbindungen
- Naturwissenschaften Naturwissenschaften Elektromagnetismus und Elektronik Halbleiterbauelement
- Naturwissenschaften Chemiewissenschaften anorganische Chemie Metalloide
Sie müssen sich anmelden oder registrieren, um diese Funktion zu nutzen
Wir bitten um Entschuldigung ... während der Ausführung ist ein unerwarteter Fehler aufgetreten.
Sie müssen sich authentifizieren. Ihre Sitzung ist möglicherweise abgelaufen.
Vielen Dank für Ihr Feedback. Sie erhalten in Kürze eine E-Mail zur Übermittlungsbestätigung. Wenn Sie sich für eine Benachrichtigung über den Berichtsstatus entschieden haben, werden Sie auch im Falle einer Änderung des Berichtsstatus benachrichtigt.
Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Daten nicht verfügbar
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Koordinator
3001 HEVERLEE
Belgien
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.