Cel
The Low-T Si-epi network programme combines two main topics: preparation of epitaxial Si and SiGe layers at low temperatures and the characterization of these materials, and the application of these layers in working devices. The low temperature is essential for creating well defined, sharp concentration transitions between different layers with well controlled thicknesses, and for not disturbing already existing profiles in the substrates. Attention will be devoted to selective and differential growth.For epi-growth, all existing techniques are involved: UHV-CVD, LPCVD, RTCVD, APCVD, GSMBE, SSMBE. As characterization techniques, SIMS, TEM, RBS, AFM, X-ray diffraction, optical miscroscopy a.o. will be used. The layers thus fabricated will be applied in several types of devices; among these are both p-type and n-type modulation doped layers for 2D hole and electron gas structures. Simultaneously, the influence of the layer parameters such as spaces and quantum well thickness on carrier mobilities will be studied. SiGe-layers with a very high Ge-content will be used for Real Space Transport Transistors. Si/SiGe quantum wells will be used for integrated matrix IR detectors. Also, demonstration of submicron Si/SiGe quantum well MOS transistors is planned.
A thorough study of silicon nucleation has been performed on ultrahigh vacuum (UHV) chemical vapour deposition (CVD) grown layers. Multilayers for 2-dimensional electron and hole confinement have been grown with excellent results. Silicon on silicon germanide multiquantum well structures have been grown with in situ spectroscopic ellipsometric measurements; these layers have been used for infrared absorption detectors. Selective growth of silicon and silicon germanide layers has been realized in gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) as well as in low pressure chemical vapour deposition (LPCVD). Layers from the latter were studied with respect to growth uniformity and relaxation in small pads for application in resonant tunnelling diode structures. RTCVD grown P-channel metal oxide semiconductor (PMOS) structures have been processed to quantum wave (QW) metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET), for which a number of critical processing steps had to be optimized to the low temperature constraints. A general model has been developed for optical absorption in n-type indirect QWs as a function of growth direction for infrared/quantum well detectors; germanium is found to be the best material in groups III, IV and V.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna związki nieorganiczne
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne elektromagnetyzm i elektronika urządzenie półprzewodnikowe
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metaloidy
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Przepraszamy… podczas wykonywania operacji wystąpił nieoczekiwany błąd.
Wymagane uwierzytelnienie. Powodem może być wygaśnięcie sesji.
Dziękujemy za przesłanie opinii. Wkrótce otrzymasz wiadomość e-mail z potwierdzeniem zgłoszenia. W przypadku wybrania opcji otrzymywania powiadomień o statusie zgłoszenia, skontaktujemy się również gdy status ulegnie zmianie.
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Brak dostępnych danych
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Koordynator
3001 HEVERLEE
Belgia
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.