Skip to main content
Weiter zur Homepage der Europäischen Kommission (öffnet in neuem Fenster)
Deutsch Deutsch
CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
CORDIS
Inhalt archiviert am 2024-04-30

Quantum electronics using scanning tunnelling microscopy based lithography

Ziel

The objective of the QUEST project is to push the fabrication of silicon based devices below the 20 nm limit using SPM-based (scanning probe microscopy) lithography in order to:

- take advantage of the Coulomb blockade effect in an innovative architecture of single electron memory operating at room temperature
- to study transport in low dimensionality structures that exhibit physical effects such as ballistic transport, quantum interference and single electron phenomena,
- demonstrate the efficiency of a fabrication process that uses local probes (e.g. STM-Scanning Tunnelling Microscopy, AFM-Atomic Force Microscopy) for fine and reproducible patterning.

Nanometer scale structures in which dimensional confinement (e.g. resonant tunnelling, Coulombic effects...) become first order effects will result in new opportunities and concepts to take full advantage of low power quantum electronics. However, the path to the optimal use of these effects in solving problems of mainstream technology is still not clear. On the other hand, scanning probe microscopy (SPM) techniques that have demonstrated potential for atomic-level manipulation of matter have not yet been fully developed to solve fine patterning constraints at the nanometer scale.

The QUEST project has the objective to develop device concepts and fabrication techniques relevant for future industrial applications:

- the integration of memory circuits using the Coulomb blockade is probably the most obvious application that meets the scaling and low-power requirements necessary for the giga to tera bit capacity.
- processing (deposition, etching, oxidation), experimental, and theoretical developments necessary to this project will contribute to further developments of microelectronics. In particular, the fabrication sequence proposed for the integration of the memory cell will also allow for the fabrication of MOSFETs with ultimate dimensions. This constitutes an intermediate milestone of major interest for potential applications that combine quantum and conventional silicon-based devices
- the introduction of the SPM for direct device applications could probably provide a driving force for the evolution of this technique as a highly performant fabrication tool. In addition, this project directly supports our industrial partners OMICRON and INSTRUMAT on SPM usage.

The operating principle of the memory is based on the storage of very few electrons (possibly one) in a floating gate embedded between a MOSFET channel and a command gate. Memory operation is achieved as following: by applying a positive gate voltage an electron is transferred to the storage dot and increases its potential that blocks the transfer of others electrons. The trapping of an electron in the dot shifts the threshold voltage of the MOSFET that can be detected to sense the information (formation of an hysteris on the current/gate-voltage characteristic). The novelty and originality of the approach lies in the fabrication of such an advanced memory cell using SPM techniques combined with self-aligned thin-film deposition and etching.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.

Sie müssen sich anmelden oder registrieren, um diese Funktion zu nutzen

Schlüsselbegriffe

Schlüsselbegriffe des Projekts, wie vom Projektkoordinator angegeben. Nicht zu verwechseln mit der EuroSciVoc-Taxonomie (Wissenschaftliches Gebiet).

Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

Daten nicht verfügbar

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

CSC - Cost-sharing contracts

Koordinator

Institut Superieur D'electronique Du Nord - Recherche
EU-Beitrag
Keine Daten
Adresse
Rue Solferino 90
59046 Lille
Frankreich

Auf der Karte ansehen

Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

Keine Daten

Beteiligte (4)

Mein Booklet 0 0