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Contenuto archiviato il 2022-12-23

Hydride Vapour Phase Epitaxy of GaN films and bulk GaN strates for a new generation of group III-Nitride based devices fabricated by GSMBE and MOVPE

Obiettivo



The primary objective of the present proposal is to study, investigate and develop hydride vapour phase epitaxy (HVPE) of GaN to grow high quality composite strates GaN/SiC and bulk GaN crystals for a new generation of group III-Nitride based devices. The HVPE GaN will then be used for growth of lattice-matched group III-nitrides layers, structures and optoelectronic devices by Gas Source Mollar Beam Epitaxy (GSMBE) and Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE).
To reach the final goal of the project, the technology of HVPE of high quality GaN layers on 6H-SiC, the HVPE technology of thick GaN layers and the technology of SiC strates removal will be studied to produce GaN-bulk material for sequent homoepitaxial growth of nitride-based structures by GSMBE and MOVPE. Various parameters of the structures will be studied by techniques including AES, SEM, STEM, X-ray diffraction , RHEED, EPMA, CL, and PL. SIMS, SNMS, XPS. And finally LED device technology will be developed.
This technology project will make available for the first time in Europe a blue LED technology using GSMBE and MOVPE growth on composite GaN/SiC strates and bulk GaN strates. This will make available to European industry a vital technology in the field of optoelectronics and display technologies. It also provides an opportunity to show the real possibility of a viable collaboration in the field of device fabrication between the NIS and EU and EEA countries.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Dati non disponibili

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

Dati non disponibili

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

Dati non disponibili

Coordinatore

University of Nottingham
Contributo UE
Nessun dato
Indirizzo
University Park
NG7 2RD Nottingham
Regno Unito

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Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (3)

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