Obiettivo
Fundamental properties of zero-dimensional structures will be gained by this project. Investigations will be carried out of temperature dependent capacitance-voltage (C-V), current-voltage (I-V) and capacitance transient spectroscopy (DLTS) experiments of semiconductor matrices containing sheets with ordered quantum dots (QDs) or arrays of vertically-coupled QDs via tunneling (VECQDs) with the lateral size lower than 20 nm.
For growth of self-organized arrays of uniform QDs based on both I type (InAs-GaAs) and II type (GaSb-GaAs) heterostructures we will use molecular beam epitaxy and MOCVD.
A physical model will be developed to describe C-V and DLTS characteristics of semiconductor heterostructures containing a sheet with QDs. It will be possible to determine the following parameters : (i) the distance from the surface to the plane with quantum QDs, (ii) the sheet concentration of QDs, (iii) electron (hole) energy levels in QDs, and (iv) occupation of QDs as a function of temperature, and (v) electron and hole capture and emission cross sections.
Using static and dynamic capacitance spectroscopy in p- and n-type doped matrices it is possible to study electron and hole states in QDs separately. Investigations of the electric field influence on the recharging of QDs will be carried out. The influence of charge located in the plane with QDs on the distribution of the electric field through all the structure will be studied. Experiments will be conducted on structures with degenerate electron occupation of QDs to determine the influence of electron-electron interaction on the spectrum of energy levels in Qds.
The data on properties of QDs obtained from C-V and DLTS characteristics will be exploited to create a resonant tunneling diode structure and zero-dimensional Esaki-Tsu superlattice, where the tunneling process goes through energy levels in QDs. The properties of these structures will be investigated.
The results of the project will be published in scientific press and presented on conferences.
Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
NG7 2RD Nottingham
Regno Unito
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.