Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2022-12-23

Electronic transport in semiconductor structures with quantum dots

Cel



Fundamental properties of zero-dimensional structures will be gained by this project. Investigations will be carried out of temperature dependent capacitance-voltage (C-V), current-voltage (I-V) and capacitance transient spectroscopy (DLTS) experiments of semiconductor matrices containing sheets with ordered quantum dots (QDs) or arrays of vertically-coupled QDs via tunneling (VECQDs) with the lateral size lower than 20 nm.

For growth of self-organized arrays of uniform QDs based on both I type (InAs-GaAs) and II type (GaSb-GaAs) heterostructures we will use molecular beam epitaxy and MOCVD.

A physical model will be developed to describe C-V and DLTS characteristics of semiconductor heterostructures containing a sheet with QDs. It will be possible to determine the following parameters : (i) the distance from the surface to the plane with quantum QDs, (ii) the sheet concentration of QDs, (iii) electron (hole) energy levels in QDs, and (iv) occupation of QDs as a function of temperature, and (v) electron and hole capture and emission cross sections.

Using static and dynamic capacitance spectroscopy in p- and n-type doped matrices it is possible to study electron and hole states in QDs separately. Investigations of the electric field influence on the recharging of QDs will be carried out. The influence of charge located in the plane with QDs on the distribution of the electric field through all the structure will be studied. Experiments will be conducted on structures with degenerate electron occupation of QDs to determine the influence of electron-electron interaction on the spectrum of energy levels in Qds.

The data on properties of QDs obtained from C-V and DLTS characteristics will be exploited to create a resonant tunneling diode structure and zero-dimensional Esaki-Tsu superlattice, where the tunneling process goes through energy levels in QDs. The properties of these structures will be investigated.

The results of the project will be published in scientific press and presented on conferences.

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

Brak dostępnych danych

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

Brak dostępnych danych

Koordynator

University of Nottingham
Wkład UE
Brak danych
Adres
University Park
NG7 2RD Nottingham
Zjednoczone Królestwo

Zobacz na mapie

Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych

Uczestnicy (1)

Moja broszura 0 0