Ziel
Over the last few years' studies of defects in Si, Ge and Si1-xGex-solid solutions have become central to the future development of semiconductor devices and systems. In the case of silicon, the key material in electronics, the continued reduction of the feature size in ULSI is necessitating the solution of the problem of transient enhanced diffusion of implanted doping impurities. The most problematic issue is the enhanced diffusion of boron and the attainability of high doping levels. There are many other defect related issues such as removal of implant and etching damage and for some applications radiation hardness. To overcome these technological problems, a deeper understanding of the defect chemistry of silicon is required. This especially concerns the self-interstitial- and interstitial boron-related defects.
The Si1-xGex solid solutions are promising materials for high-speed electronic systems. These circumstances have stimulated the intense studies of defect behaviour and impurity diffusion in Si1-xGex, but no consistent picture even for the most simple defect complexes has emerged yet.
The main aim of the project is to bring together experimental and theoretical groups that are working on the problem of defect engineering in Si, Ge and Si-Ge alloys and to achieve a deeper understanding of the defect dynamics and diffusion in these materials. The studies will be focused on interstitial-type defects and impurities like boron that appear to be the most technologically important. The complementary facilities of the teams in experimental techniques (FTIR, photoluminescence, DLTS, Laplace DLTS, SIMS, spreading resistance probe, Hall effect etc.), materials (Si crystals enriched with oxygen and carbon isotopes, Ge crystals enriched with oxygen isotopes as well as with 74Ge, Si1-xGex single crystals and epitaxial layers) and irradiation tools (H-plasma, g-rays, MeV electrons, high-energy protons and ions), in combination with ab-initio modelling should enable the many questions related to interstitial defect reactions and diffusion in Si, Ge and Si1-xGex to be answered.
The objectives of the project are to:
-identify the main electrically and optically active defects associated with sel- and impurity (B, Al, O, C) interstitial atoms in Si, Ge and SiGe alloys, including complexes of Si(Ge) self-interstitial with oxygen dimer, BiBs, BiOi, BiCs
- Gain a fundamental understanding of dynamics and diffusion mechanisms of interstitial boron (aluminium) and oxygen atoms in SiGe alloys
- Understand effect of hydrogen on diffusion of interstitial impurity atoms in SiGe-based materials.
The proposed project is expected to have a high impact on both fundamental and applied semiconductor physics. The results obtained should provide a science base for many aspects of Si and SiGe technologies related to interstitial defect reactions and diffusion, i.e. growth, implantation, gettering etc.
Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.
Dieses Projekt wurde noch nicht bei EuroSciVoc klassifiziert.
Schlagen Sie die Wissenschaftsbereiche vor, die Ihrer Einschätzung nach besonders relevant sind, und helfen Sie uns, unseren Klassifizierungsdienst zu verbessern.
Sie müssen sich anmelden oder registrieren, um diese Funktion zu nutzen
Programm/Programme
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.
Thema/Themen
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Daten nicht verfügbar
Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.
Finanzierungsplan
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.
Daten nicht verfügbar
Koordinator
M60 1QD Manchester
Vereinigtes Königreich
Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.