Cel
Over the last few years' studies of defects in Si, Ge and Si1-xGex-solid solutions have become central to the future development of semiconductor devices and systems. In the case of silicon, the key material in electronics, the continued reduction of the feature size in ULSI is necessitating the solution of the problem of transient enhanced diffusion of implanted doping impurities. The most problematic issue is the enhanced diffusion of boron and the attainability of high doping levels. There are many other defect related issues such as removal of implant and etching damage and for some applications radiation hardness. To overcome these technological problems, a deeper understanding of the defect chemistry of silicon is required. This especially concerns the self-interstitial- and interstitial boron-related defects.
The Si1-xGex solid solutions are promising materials for high-speed electronic systems. These circumstances have stimulated the intense studies of defect behaviour and impurity diffusion in Si1-xGex, but no consistent picture even for the most simple defect complexes has emerged yet.
The main aim of the project is to bring together experimental and theoretical groups that are working on the problem of defect engineering in Si, Ge and Si-Ge alloys and to achieve a deeper understanding of the defect dynamics and diffusion in these materials. The studies will be focused on interstitial-type defects and impurities like boron that appear to be the most technologically important. The complementary facilities of the teams in experimental techniques (FTIR, photoluminescence, DLTS, Laplace DLTS, SIMS, spreading resistance probe, Hall effect etc.), materials (Si crystals enriched with oxygen and carbon isotopes, Ge crystals enriched with oxygen isotopes as well as with 74Ge, Si1-xGex single crystals and epitaxial layers) and irradiation tools (H-plasma, g-rays, MeV electrons, high-energy protons and ions), in combination with ab-initio modelling should enable the many questions related to interstitial defect reactions and diffusion in Si, Ge and Si1-xGex to be answered.
The objectives of the project are to:
-identify the main electrically and optically active defects associated with sel- and impurity (B, Al, O, C) interstitial atoms in Si, Ge and SiGe alloys, including complexes of Si(Ge) self-interstitial with oxygen dimer, BiBs, BiOi, BiCs
- Gain a fundamental understanding of dynamics and diffusion mechanisms of interstitial boron (aluminium) and oxygen atoms in SiGe alloys
- Understand effect of hydrogen on diffusion of interstitial impurity atoms in SiGe-based materials.
The proposed project is expected to have a high impact on both fundamental and applied semiconductor physics. The results obtained should provide a science base for many aspects of Si and SiGe technologies related to interstitial defect reactions and diffusion, i.e. growth, implantation, gettering etc.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Projekt nie został jeszcze sklasyfikowany według klasyfikacji EuroSciVoc.
Wskaż dziedziny nauki, które twoim zdaniem są najbardziej istotne z punktu widzenia tego projektu i pomóż nam usprawnić naszą usługę klasyfikacji.
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Brak dostępnych danych
Koordynator
M60 1QD Manchester
Zjednoczone Królestwo
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.