Obiettivo
Over the last few years' studies of defects in Si, Ge and Si1-xGex-solid solutions have become central to the future development of semiconductor devices and systems. In the case of silicon, the key material in electronics, the continued reduction of the feature size in ULSI is necessitating the solution of the problem of transient enhanced diffusion of implanted doping impurities. The most problematic issue is the enhanced diffusion of boron and the attainability of high doping levels. There are many other defect related issues such as removal of implant and etching damage and for some applications radiation hardness. To overcome these technological problems, a deeper understanding of the defect chemistry of silicon is required. This especially concerns the self-interstitial- and interstitial boron-related defects.
The Si1-xGex solid solutions are promising materials for high-speed electronic systems. These circumstances have stimulated the intense studies of defect behaviour and impurity diffusion in Si1-xGex, but no consistent picture even for the most simple defect complexes has emerged yet.
The main aim of the project is to bring together experimental and theoretical groups that are working on the problem of defect engineering in Si, Ge and Si-Ge alloys and to achieve a deeper understanding of the defect dynamics and diffusion in these materials. The studies will be focused on interstitial-type defects and impurities like boron that appear to be the most technologically important. The complementary facilities of the teams in experimental techniques (FTIR, photoluminescence, DLTS, Laplace DLTS, SIMS, spreading resistance probe, Hall effect etc.), materials (Si crystals enriched with oxygen and carbon isotopes, Ge crystals enriched with oxygen isotopes as well as with 74Ge, Si1-xGex single crystals and epitaxial layers) and irradiation tools (H-plasma, g-rays, MeV electrons, high-energy protons and ions), in combination with ab-initio modelling should enable the many questions related to interstitial defect reactions and diffusion in Si, Ge and Si1-xGex to be answered.
The objectives of the project are to:
-identify the main electrically and optically active defects associated with sel- and impurity (B, Al, O, C) interstitial atoms in Si, Ge and SiGe alloys, including complexes of Si(Ge) self-interstitial with oxygen dimer, BiBs, BiOi, BiCs
- Gain a fundamental understanding of dynamics and diffusion mechanisms of interstitial boron (aluminium) and oxygen atoms in SiGe alloys
- Understand effect of hydrogen on diffusion of interstitial impurity atoms in SiGe-based materials.
The proposed project is expected to have a high impact on both fundamental and applied semiconductor physics. The results obtained should provide a science base for many aspects of Si and SiGe technologies related to interstitial defect reactions and diffusion, i.e. growth, implantation, gettering etc.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Dati non disponibili
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Dati non disponibili
Coordinatore
M60 1QD Manchester
Regno Unito
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.