European Commission logo
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-05-29

Ballistic magnetoresistance in thin film nanocontacts

Article Category

Article available in the following languages:

W kierunku następnej generacji magnetycznych urządzeń do magazynowania danych

Dzięki miniaturyzacji urządzeń przemysł elektroniczny dokonał przełomowego zwiększenia ich wydajności. Finansowany ze środków UE zespół badawczy wniósł ważny wkład w rozwiązania technologiczne i zgromadzenie danych doświadczalnych dotyczących mechaniki kwantowej i magnetycznego magazynowania danych.

Technologie przemysłowe icon Technologie przemysłowe

Ponieważ zbliżamy się do fizycznej granicy miniaturyzacji, a pojemność pamięci w napędach dyskowych ograniczana jest rozmiarem cząsteczek magnetycznych na powierzchni dysku, coraz większym zainteresowaniem cieszy się zjawisko noszące nazwę magnetorezystancji balistycznej (BMR). BMR odnosi się do efektu kwantowo-mechanicznego dotyczącego momentu pędu elektronu (spinu), który sprawia, że elektron staje się małą igłą kompasową. Zwiększenie lub zmniejszenie oporu elektrycznego w polu magnetycznym pozwala uzyskać czujnik o wymiarach zbliżonych do magnetycznych cząstek dysku. Pomimo dynamicznego rozwoju tej dziedziny, wciąż istnieje szereg sprzeczności, trudności doświadczalnych i wątpliwości. Celem projektu "Magnetorezystancja balistyczna w nanostykach cienkowarstwowych" (BMR) było stworzenie nowych technik nanoprodukcji, które w połączeniu z technologią nanoszenia cienkich warstw pozwoliłyby uzyskać cienkowarstwowe nanozwężki (falowody dla elektronów), oraz zbadanie zachowania się BMR w tych nanostykach. Naukowcy z powodzeniem wykorzystali metodę nanoprodukcji skupioną wiązką jonową (FIB) do uzyskania nanozwężek cienkowarstwowych z przepływem prądu w płaszczyźnie (CIP) i prostopadle do płaszczyzny (CPP) oraz scharakteryzowali nanoskalowy transport spinu w tych urządzeniach. Analiza bogatego zbioru danych doświadczalnych nie potwierdziła istnienia BMR w tych urządzeniach. Zgromadzone doświadczalnie dane dotyczące magnetorezystancji związanej z rozmiarem zwężek przeczą hipotezom opartym na aktualnej teorii BMR. Wyniki projektu BMR wnoszą ważny wkład w techniki nanoprodukcji, które mogą doprowadzić do powstania nowej generacji urządzeń tranzystorowych. Ponadto, naukowcy zgromadzili nowe dane doświadczalne potrzebne do sprawdzenia teorii BMR i lepszego poznania, jak i wykorzystania zjawisk mechaniki kwantowej. Dalsze badania powinny utorować drogę ku nowym urządzeniom do magazynowania danych oraz urządzeniom i komputerom spintronicznym, z korzyścią dla europejskiej gospodarki.

Znajdź inne artykuły w tej samej dziedzinie zastosowania