Description du projet
Une technologie de transistor de puissance haute performance à faible coût
Le silicium a été le cheval de bataille de la technologie des transistors de puissance, et il reste un leader rentable pour de nombreuses applications dans toutes les plages de tension. Cependant, ses propriétés matérielles inhérentes deviennent un obstacle pour les exigences actuelles en matière de densités de puissance accrues et de rendements plus élevés, en particulier dans les domaines à croissance rapide des véhicules électriques, des énergies renouvelables et des centres de données. Les matériaux semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) sont susceptibles de surmonter ces limitations. Le projet YESvGaN, financé par l’UE, développe une technologie WBG innovante utilisant des transistors verticaux au nitrure de gallium sur des substrats à faible coût comme le silicium, qui allieront performances améliorées et faible coût.
Objectif
YESvGaN targets a new low-cost wide band gap (WBG) power transistor technology for enabling high-efficiency power electronic systems in the field of electromobility, industrial drives, renewable energies and data centers. In many applications requiring power transistors with high voltage and current rating (600…1200V, ~100A), silicon IGBT technology is nowadays used due to cost considerations accepting its lower efficiency compared to WBG solutions. The main objective of YESvGaN is to demonstrate innovative vertical gallium nitride (GaN) power transistors fabricated on a low-cost substrate such as silicon. This so-called vertical membrane architecture combines the superior performance of GaN as WBG power transistor material with the advantages of a vertical architecture regarding current and voltage robustness at a price competitive to silicon IGBTs. To this end, the entire value chain from substrate, epitaxy, process technology, interconnection technology to application in relevant power electronic systems is addressed. YESvGaN clusters the relevant competences along the value chain in a consortium of large companies, SMEs and institutes from seven European countries.
Champ scientifique
Mots‑clés
Programme(s)
Thème(s)
Régime de financement
RIA - Research and Innovation actionCoordinateur
70839 Gerlingen-Schillerhoehe
Allemagne
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Participants (27)
52134 Herzogenrath
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12489 BERLIN
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75794 Paris
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Entité juridique autre qu’un sous-traitant qui est affiliée ou juridiquement liée à un participant. L’entité réalise des travaux dans les conditions prévues par la convention de subvention, fournit des biens ou des services pour l’action, mais n’a pas signé la convention de subvention. Le tiers respecte les règles applicables au participant qui lui est lié dans le cadre de la convention de subvention en ce qui concerne l’éligibilité des coûts et le contrôle des dépenses.
59000 Lille
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3500 Hasselt
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80686 Munchen
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85737 Ismaning
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L’entreprise s’est définie comme une PME (petite et moyenne entreprise) au moment de la signature de la convention de subvention.
4782 St Florian Am Inn
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13790 Rousset
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L’entreprise s’est définie comme une PME (petite et moyenne entreprise) au moment de la signature de la convention de subvention.
223 63 Lund
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22100 Lund
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01109 Dresden
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99097 Erfurt
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Participation terminée
99097 Erfurt
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99097 Erfurt
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46980 Paterna
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46010 Valencia
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64579 Gernsheim
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9000 Gent
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8700 Leoben
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81677 Munchen
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47015 Modigliana Fo
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40125 Bologna
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35122 Padova
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41121 Modena
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42124 Reggio Emilia
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37100 Tours
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