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Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost

Descripción del proyecto

Tecnología de transistores de potencia de altas prestaciones a bajo coste

El silicio hasta ahora ha sido la pieza maestra de la tecnología de transistores de potencia y todavía es uno de los materiales más rentables para numerosas aplicaciones en todos los rangos de tensión. Sin embargo, sus propiedades materiales inherentes se están convirtiendo en un obstáculo a la hora de satisfacer las necesidades actuales, es decir, una densidad de potencia y eficacia más elevadas, en particular en los ámbitos de rápido desarrollo de los vehículos eléctricos, las energías renovables y los centros de procesamiento de datos. Los materiales semiconductores de banda prohibida ancha pueden superar estas limitaciones. El proyecto YESvGaN, financiado con fondos europeos, está desarrollando una innovadora tecnología de banda prohibida ancha mediante transistores de nitruro de galio verticales sobre sustratos económicos, como el silicio, que aunarán un mayor rendimiento y un bajo coste.

Objetivo

YESvGaN targets a new low-cost wide band gap (WBG) power transistor technology for enabling high-efficiency power electronic systems in the field of electromobility, industrial drives, renewable energies and data centers. In many applications requiring power transistors with high voltage and current rating (600…1200V, ~100A), silicon IGBT technology is nowadays used due to cost considerations accepting its lower efficiency compared to WBG solutions. The main objective of YESvGaN is to demonstrate innovative vertical gallium nitride (GaN) power transistors fabricated on a low-cost substrate such as silicon. This so-called vertical membrane architecture combines the superior performance of GaN as WBG power transistor material with the advantages of a vertical architecture regarding current and voltage robustness at a price competitive to silicon IGBTs. To this end, the entire value chain from substrate, epitaxy, process technology, interconnection technology to application in relevant power electronic systems is addressed. YESvGaN clusters the relevant competences along the value chain in a consortium of large companies, SMEs and institutes from seven European countries.

Régimen de financiación

RIA - Research and Innovation action

Coordinador

ROBERT BOSCH GMBH
Aportación neta de la UEn
€ 611 629,06
Dirección
ROBERT-BOSCH-PLATZ 1
70839 Gerlingen-Schillerhoehe
Alemania

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Región
Baden-Württemberg Stuttgart Ludwigsburg
Tipo de actividad
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Enlaces
Coste total
€ 2 446 516,25

Participantes (27)