European Commission logo
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost

Opis projektu

Technologia tranzystorów mocy o wysokiej wydajności i niewysokich kosztach

Krzem jest podstawą technologii tranzystorów mocy i jeśli chodzi o koszty, nadal pozostaje liderem w wielu zastosowaniach we wszystkich zakresach napięć. Jego właściwości stają się jednak przeszkodą utrudniającą spełnienie obecnych wymagań dotyczących zwiększonej gęstości mocy i wyższej sprawności, zwłaszcza w szybko rozwijających się sektorach pojazdów elektrycznych, energii odnawialnej i centrów danych. Materiały półprzewodnikowe o szerokim paśmie wzbronionym (WBG) dają nadzieję na przezwyciężenie tych ograniczeń. W ramach finansowanego przez UE projektu YESvGaN powstaje innowacyjna technologia WBG wykorzystująca pionowe tranzystory z azotku galu na niedrogich podłożach, na przykład krzemowych, która pozwoli połączyć lepsze osiągi z niskimi kosztami.

Cel

YESvGaN targets a new low-cost wide band gap (WBG) power transistor technology for enabling high-efficiency power electronic systems in the field of electromobility, industrial drives, renewable energies and data centers. In many applications requiring power transistors with high voltage and current rating (600…1200V, ~100A), silicon IGBT technology is nowadays used due to cost considerations accepting its lower efficiency compared to WBG solutions. The main objective of YESvGaN is to demonstrate innovative vertical gallium nitride (GaN) power transistors fabricated on a low-cost substrate such as silicon. This so-called vertical membrane architecture combines the superior performance of GaN as WBG power transistor material with the advantages of a vertical architecture regarding current and voltage robustness at a price competitive to silicon IGBTs. To this end, the entire value chain from substrate, epitaxy, process technology, interconnection technology to application in relevant power electronic systems is addressed. YESvGaN clusters the relevant competences along the value chain in a consortium of large companies, SMEs and institutes from seven European countries.

Koordynator

ROBERT BOSCH GMBH
Wkład UE netto
€ 611 629,06
Adres
ROBERT-BOSCH-PLATZ 1
70839 Gerlingen-Schillerhoehe
Niemcy

Zobacz na mapie

Region
Baden-Württemberg Stuttgart Ludwigsburg
Rodzaj działalności
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Linki
Koszt całkowity
€ 2 446 516,25

Uczestnicy (27)