Opis projektu
Izolatory topologiczne do układów elektronicznych pracujących w temperaturze pokojowej
Izolatory topologiczne (TI) otwierają nowy kierunek w dziedzinie elektroniki kwantowej, ale ich badania były dotychczas prowadzone głównie w temperaturach kriogenicznych. To zaś utrudnia wykorzystanie ich pełnego potencjału. Aby temu zaradzić, finansowany przez UE projekt TopRooT zakłada zademonstrowanie możliwości TI poprzez wsparcie rozwoju opartych na nich urządzeń pracujących w temperaturze pokojowej. Celem projektu jest opracowanie dokładnego procesu tworzenia i projektowania takich urządzeń. Skupi się on na integracji TI z systemami wykorzystującymi ferromagnetyki, która pozwoliłaby na zrewolucjonizowanie krytycznych zastosowań w spintronice i innych dziedzinach. Projekt ma również na celu przeprowadzenie szeroko zakrojonych badań nad optymalizacją heterostruktur złożonych z TI i ferromagnetyków. Odgrywają one kluczową rolę w tworzeniu nowych technologii, takich jak SOT-MRAM.
Cel
The proposal TopRooT (“Towards TOPological insulator-based electronic devices for ROOm Temperature operation”) aims at providing a route to novel electronic devices based on topological insulators. Nowadays, most of the research on topological insulators is for cryogenic (quantum)-electronics, but they also show huge potential for room temperature applications. To this end, a crucial technology is the integration of topological insulators (TIs) with topologically-trivial materials, such as ferromagnets (FM), enabling applications in spintronics and beyond. The proposal focuses on the study and optimization of TI/FM heterostructures and their application in spin-orbit torque magnetoresistive random access memories (SOT-MRAM). SOT-MRAM is at the forefront of the emerging technologies that enable a new generation of brain-inspired and energy-efficient computing, extremely relevant to drastically decrease the energy consumption of information and communication technologies, as stated in the European Commission’s strategy on “Shaping Europe’s digital future”.
State-of-the-art implementation of SOT in TI/FM heterostructures is achieved at the microscale, which is not enough to achieve the needed high density of devices. Therefore, the proposal will specifically target the fabrication of nanoscale TI/FM heterostructures and pursue their implementation in full nanoscale magnetic tunnel junction (MTJ) devices for SOT-MRAM, addressing the integration and efficiency challenges that arise. This will be achieved by growing Bi2Se3 (the chosen TI system) by molecular beam epitaxy and by sputtering the FM and MgO layers for the MTJs. Nanoscale fabrication will be achieved by electron beam lithography and auxiliary techniques. The efficiency of the SOT in TI/FM heterostructures will be accurately quantified via Harmonic Hall Voltage measurements at room temperature, while full MTJ devices will be subjected to electrical transport measurements to obtain the relevant device metrics.
Słowa kluczowe
Program(-y)
Temat(-y)
Zaproszenie do składania wniosków
HORIZON-WIDERA-2022-TALENTS-04
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszeniaSystem finansowania
HORIZON-TMA-MSCA-PF-EF - HORIZON TMA MSCA Postdoctoral Fellowships - European FellowshipsKoordynator
4715-330 Braga
Portugalia