Skip to main content
Weiter zur Homepage der Europäischen Kommission (öffnet in neuem Fenster)
Deutsch Deutsch
CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
CORDIS

Dirac cold-source transistor technologies towards attojoule switching

Projektbeschreibung

Kältequellen-Transistortechnologie zur Verbesserung der Energieeffizienz in der Elektronik

Das rasche Wachstum und die weite Verbreitung von Informations- und Kommunikationstechnologien sowie die zunehmende Abhängigkeit haben die weltweite Energienachfrage erheblich gesteigert, und Prognosen deuten auf einen weiteren Anstieg um bis zu 20 % bis zum Ende des Jahrzehnts hin. Innovationen in der Transistortechnologie bieten eine vielversprechende Lösung, um die Nachhaltigkeit und Energieeffizienz in der Elektronik zu erhöhen. Die CMOS-Technologien, auf die sie sich stützen, unterliegen allerdings den Beschränkungen der Boltzmann-Physik, die die verfügbare Betriebsspannung begrenzt. Ziel des EU-finanzierten Projekts AttoSwitch ist es, diese Herausforderung durch die Entwicklung einer neuartigen Kältequellen-Transistortechnologie zu überwinden, die die Boltzmann-Grenzen überschreiten kann und die intrinsischen physikalischen Eigenschaften von Dirac-Semimetallen nutzt.

Ziel

Global energy demand for information and communication technologies may reach up to 20% of total energy by the end of the decade. Innovations on transistor technologies, following Moore’s law, can in part compensate for this rise and improve sustainability by providing more energy-efficient electronics. However, the energy-efficiency of CMOS is limited by the Boltzmann physics, which sets a lower bound on the operating voltage, and thereby the power. To sustain miniaturization, and improved performance of electronics, new transistor technologies are needed that can overcome this limit.

AttoSwitch will develop a novel cold-source transistor technology that uses the intrinsically cold carrier distribution of Dirac semimetals to overcome the Boltzmann limit. The main objective is to develop a scalable Dirac transistor technology based on large-area integration of 2D and 3D Dirac materials, e.g. graphene and CoSi, and the realization of high-performance device demonstrators at technologically relevant length scales. Key demonstrators are based on graphene integrated with MoS2 and WSe2 channels, as well as novel work on 3D Dirac semimetals. Our methodology includes development of device process modules and extensive material and device characterization. Systematic modeling using new simulation frameworks plays a key part to benchmark and provide a road map for the technology. Our ambitious performance targets include a subthreshold swing of 35 mV/decade and a switching energy of 4 attojoule.

The project links to ongoing European efforts, such as the 2D-experimental pilot line, and the goals set by the European Chips Act. AttoSwitch will impact the semiconductor supply chain at the technology and materials levels, and provide ultra-energy-efficient transistors for logic and high-frequency analog integrated chip markets. Outreach to students, training of young researchers and building international cooperation will also support Europe’s competitiveness in semiconductors.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.

Sie müssen sich anmelden oder registrieren, um diese Funktion zu nutzen

Schlüsselbegriffe

Schlüsselbegriffe des Projekts, wie vom Projektkoordinator angegeben. Nicht zu verwechseln mit der EuroSciVoc-Taxonomie (Wissenschaftliches Gebiet).

Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

HORIZON-RIA - HORIZON Research and Innovation Actions

Alle im Rahmen dieses Finanzierungsinstruments finanzierten Projekte anzeigen

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

(öffnet in neuem Fenster) HORIZON-CL4-2023-DIGITAL-EMERGING-01-CNECT

Alle im Rahmen dieser Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen finanzierten Projekte anzeigen

Koordinator

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA
Netto-EU-Beitrag

Finanzieller Nettobeitrag der EU. Der Geldbetrag, den der Beteiligte erhält, abzüglich des EU-Beitrags an mit ihm verbundene Dritte. Berücksichtigt die Aufteilung des EU-Finanzbeitrags zwischen den direkten Begünstigten des Projekts und anderen Arten von Beteiligten, wie z. B. Dritten.

€ 30 000,00
Adresse
VIA TOFFANO 2
40125 BOLOGNA
Italien

Auf der Karte ansehen

Region
Nord-Est Emilia-Romagna Bologna
Aktivitätstyp
Research Organisations
Links
Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

€ 790 437,50

Beteiligte (7)

Partner (1)

Mein Booklet 0 0