Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

Dirac cold-source transistor technologies towards attojoule switching

Opis projektu

Technologia tranzystorów z zimnym źródłem poprawia efektywność energetyczną elektroniki

Szybki rozwój i powszechne stosowanie technologii informacyjnych i komunikacyjnych znacznie zwiększają globalne zapotrzebowanie na energię, a prognozy wskazują na dalszy wzrost nawet o 20% do końca dekady. Innowacje w dziedzinie technologii tranzystorowych oferują obiecujące rozwiązanie, poprawiające trwałość i efektywność energetyczną elektroniki. Jednak technologie CMOS, na których się opierają, mają ograniczone napięcie robocze ze względu na fizykę Boltzmanna. Finansowany przez UE projekt AttoSwitch ma na celu przezwyciężenie tego wyzwania poprzez opracowanie nowej technologii tranzystorów z zimnym źródłem, która może pokonać ograniczenia Boltzmanna dzięki wykorzystaniu wewnętrznych właściwości fizycznych półmetali Diraca.

Cel

Global energy demand for information and communication technologies may reach up to 20% of total energy by the end of the decade. Innovations on transistor technologies, following Moore’s law, can in part compensate for this rise and improve sustainability by providing more energy-efficient electronics. However, the energy-efficiency of CMOS is limited by the Boltzmann physics, which sets a lower bound on the operating voltage, and thereby the power. To sustain miniaturization, and improved performance of electronics, new transistor technologies are needed that can overcome this limit.

AttoSwitch will develop a novel cold-source transistor technology that uses the intrinsically cold carrier distribution of Dirac semimetals to overcome the Boltzmann limit. The main objective is to develop a scalable Dirac transistor technology based on large-area integration of 2D and 3D Dirac materials, e.g. graphene and CoSi, and the realization of high-performance device demonstrators at technologically relevant length scales. Key demonstrators are based on graphene integrated with MoS2 and WSe2 channels, as well as novel work on 3D Dirac semimetals. Our methodology includes development of device process modules and extensive material and device characterization. Systematic modeling using new simulation frameworks plays a key part to benchmark and provide a road map for the technology. Our ambitious performance targets include a subthreshold swing of 35 mV/decade and a switching energy of 4 attojoule.

The project links to ongoing European efforts, such as the 2D-experimental pilot line, and the goals set by the European Chips Act. AttoSwitch will impact the semiconductor supply chain at the technology and materials levels, and provide ultra-energy-efficient transistors for logic and high-frequency analog integrated chip markets. Outreach to students, training of young researchers and building international cooperation will also support Europe’s competitiveness in semiconductors.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Słowa kluczowe

Słowa kluczowe dotyczące projektu wybrane przez koordynatora projektu. Nie należy mylić ich z pojęciami z taksonomii EuroSciVoc dotyczącymi dziedzin nauki.

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

HORIZON-RIA - HORIZON Research and Innovation Actions

Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego programu finansowania

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

(odnośnik otworzy się w nowym oknie) HORIZON-CL4-2023-DIGITAL-EMERGING-01-CNECT

Wyświetl wszystkie projekty finansowane w ramach tego zaproszenia

Koordynator

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA
Wkład UE netto

Kwota netto dofinansowania ze środków Unii Europejskiej. Suma środków otrzymanych przez uczestnika, pomniejszona o kwotę unijnego dofinansowania przekazanego powiązanym podmiotom zewnętrznym. Uwzględnia podział unijnego dofinansowania pomiędzy bezpośrednich beneficjentów projektu i pozostałych uczestników, w tym podmioty zewnętrzne.

€ 30 000,00
Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

€ 790 437,50

Uczestnicy (7)

Partnerzy (1)

Moja broszura 0 0