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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
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Dirac cold-source transistor technologies towards attojoule switching

Descrizione del progetto

La tecnologia dei transistor a sorgente fredda per migliorare l’efficienza energetica dell’elettronica

La rapida crescita e l’adozione diffusa delle tecnologie dell’informazione e della comunicazione, insieme all’aumento della dipendenza, hanno incrementato in modo significativo la domanda globale di energia, con proiezioni che indicano un ulteriore aumento fino al 20 % entro la fine del decennio. Le innovazioni nelle tecnologie dei transistor offrono una soluzione promettente, migliorando la sostenibilità e l’efficienza energetica dell’elettronica. Le tecnologie CMOS su cui si basano, tuttavia, sono vincolate dalla fisica di Boltzmann, che limita la tensione operativa disponibile. Il progetto AttoSwitch, finanziato dall’UE, si propone di superare questa sfida sviluppando una nuova tecnologia di transistor a sorgente fredda in grado di superare i limiti di Boltzmann, sfruttando le proprietà fisiche intrinseche dei semimetalli di Dirac.

Obiettivo

Global energy demand for information and communication technologies may reach up to 20% of total energy by the end of the decade. Innovations on transistor technologies, following Moore’s law, can in part compensate for this rise and improve sustainability by providing more energy-efficient electronics. However, the energy-efficiency of CMOS is limited by the Boltzmann physics, which sets a lower bound on the operating voltage, and thereby the power. To sustain miniaturization, and improved performance of electronics, new transistor technologies are needed that can overcome this limit.

AttoSwitch will develop a novel cold-source transistor technology that uses the intrinsically cold carrier distribution of Dirac semimetals to overcome the Boltzmann limit. The main objective is to develop a scalable Dirac transistor technology based on large-area integration of 2D and 3D Dirac materials, e.g. graphene and CoSi, and the realization of high-performance device demonstrators at technologically relevant length scales. Key demonstrators are based on graphene integrated with MoS2 and WSe2 channels, as well as novel work on 3D Dirac semimetals. Our methodology includes development of device process modules and extensive material and device characterization. Systematic modeling using new simulation frameworks plays a key part to benchmark and provide a road map for the technology. Our ambitious performance targets include a subthreshold swing of 35 mV/decade and a switching energy of 4 attojoule.

The project links to ongoing European efforts, such as the 2D-experimental pilot line, and the goals set by the European Chips Act. AttoSwitch will impact the semiconductor supply chain at the technology and materials levels, and provide ultra-energy-efficient transistors for logic and high-frequency analog integrated chip markets. Outreach to students, training of young researchers and building international cooperation will also support Europe’s competitiveness in semiconductors.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Parole chiave

Parole chiave del progetto, indicate dal coordinatore del progetto. Da non confondere con la tassonomia EuroSciVoc (campo scientifico).

Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

HORIZON-RIA - HORIZON Research and Innovation Actions

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

(si apre in una nuova finestra) HORIZON-CL4-2023-DIGITAL-EMERGING-01-CNECT

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

CONSORZIO NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA
Contributo netto dell'UE

Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.

€ 30 000,00
Indirizzo
VIA TOFFANO 2
40125 BOLOGNA
Italia

Mostra sulla mappa

Regione
Nord-Est Emilia-Romagna Bologna
Tipo di attività
Research Organisations
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

€ 790 437,50

Partecipanti (7)

Partner (1)

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