Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-05-14

Iii-v antimony based strained-layer quantum structures for mid-infrared injection lasers

Cel

The aim is to reduce the non radiative recombination (particularly the Auger recombination) seen in non strained structures, with use of band engineering techniques in the active region, applied to III-V antimonides, exploiting known strain effect in antimonides. The cladding region and the contacts will also be optimised with epitaxial growth. It is hoped to advance the state of 3-5um emitters, either in IV-VI or III-V materials, with use of multilayer zero net strain effects, to enable the highest operational temperature, specifically aimed at removing the need to cool below room temperature. With such an improvement over lead salts and non strained antimonides, this could lead on to consolidation of devices, using carrier extraction techniques as an option to reduce fundamental recombination dependent on carrier numbers. The second phase work would develop the component technology further, both experimentally and theoretically and assess the application for future microelectronic and microsystems product.

The work would compare efficiency of two candidate zero net strain superlattice structures in antimonides optimised to 2um, with a conventional structure with optimum performance at that wavelength and then move to longer wavelengths, corresponding to the gas sensing wavelengths of interest. The temperature dependence of the photoluminescence would be studied to infer improvement of the band engineering effects on Auger reduction, and later electroluminescence of devices. If successful at device level some demonstrators will be made to assess market interest.

The project is to investigate feasibility of realising low cost tuneable mid-infrared injection lasers, fabricated with Sb-containing III-V materials, targeting good performance at room temperature. It focuses on use of semiconductor band engineering, particularly strained layer techniques, to surpress non radiative recombination paths, and to provide optimum cladding and contact layers. If successful in phase one, the development of the devices and investigation of their application to aspects of 1) process monitoring 2) environmental measurement and control and 3) medical gas monitoring prototypes, is predicted for phase two.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

Brak dostępnych danych

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

ACM - Preparatory, accompanying and support measures

Koordynator

Interuniversity Microelectronics Centre
Wkład UE
Brak danych
Adres
Kapeldreef 75
3001 Leuven
Belgia

Zobacz na mapie

Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych
Moja broszura 0 0