Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-06-18

Self-assembled growth of III–V Semiconductor Nanowires on Si for Future Photonic and High Electron Mobility Applications

Cel

Apart from the never–ending miniaturization of higher–performance semiconductor devices, two major routes will be required to significantly push the Si semiconductor technology of today beyond its limits: the integration of low–cost Si technology with other high–performance materials and the use of new nanoscale device structures, where photonic and electronic units can exploit new functionalities via quantum physical effects. This project will merge these two important routes, aiming at the integration of III–V compound semiconductor nanostructures on Si for next–generation device applications. We will employ the gallium–arsenide (GaAs) compounds as highly efficient III–V materials due to their ultra–high carrier mobilities, superior optoelectronic properties and band gap engineering potentials. For nanoscale model systems we will incorporate these materials in the form of one–dimensional nanowires (NWs), which benefit from dimensions smaller than the emission wavelength, but also from their nearly defect–free singlecrystalline quality achieved via self–assembled growth. We will employ sophisticated molecular beam epitaxy (MBE) growth techniques to synthesize high–quality arsenide–based NWs on Si (111) via catalyst–free nucleation. The growth kinetics effects and selective area epitaxy will be directly correlated with extended materials characterization for optimization of structural, optical and electronic performance. Basic NW structures will then be extended toward advanced core–shell NW heterostructures for two complementary topics, (i) near–IR nanophotonic emitters with tunable–bandgap emission, and (ii) ultra–high electron mobility NW device structures, in particular field effect transistors (FETs). With detailed physical investigations and proof–of–principle demonstrations of such state–of–the–art device structures, we will provide significant insights toward the integration of nanoscale III–V heterostructures with Si.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: https://op.europa.eu/pl/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

FP7-PEOPLE-2009-RG
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszenia

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

MC-IRG - International Re-integration Grants (IRG)

Koordynator

TECHNISCHE UNIVERSITAET MUENCHEN
Wkład UE
€ 100 000,00
Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych
Moja broszura 0 0