Cel
The TOPS project aims to establish an excimer lamp assisted photochemical vapour deposition (photo-CVD) process for the fabrication of ultrathin tantalum pentoxide dielectric films on silicon for 0.13 µm ULSI silicon, and will also explore the extension of this process to other novel dielectrics. Photo-CVD will explore the use of high energy ultraviolet photons as an alternative energy source to current high temperature rapid thermal processing. The proposed process route is highly novel and has the potential to lead to significant breakthroughs in ULSI processing.
The project will be structured in two phases. Phase 1 will demonstrate the concept of a basic excimer lamp assisted photo-CVD process for the deposition of tantalum pentoxide gate dielectric films. The criterion for success of this phase will be the deposition by photo-CVD of a tantalum pentoxide dielectric on silicon and the preliminary physical and electrical performance characterisation of the dielectric layer thus grown.
Phase 2 will address optimisation of the photo-CVD process window on 100 mm wafers in terms of fabrication parameters and substrate surface termination following surface cleaning.
Future ULSI CMOS technologies (e.g. critical dimension 0.13 µm) will require gate dielectrics with equivalent silicon dioxide thicknesses in the range 35-50Å, appropriate electrical characteristics and high reliability. One of the most critical challenges for deep submicron silicon research is the technological limit to the use of silicon dioxide as a gate dielectric. For 0.13 µm ULSI CMOS, the projected gate dielectric thicknesses for silicon dioxide become so thin that direct tunnelling effects and excessively high electric fields become serious obstacles to reliability. What is required is a thicker layer of a higher dielectric constant material that will have the same or similar effective capacitance when it is put into a device. Significant effort in novel dielectric deposition research is focussed on tantalum pentoxide (Ta2O5).
Future ULSI device architectures may also preclude the use of high temperature processing and so the development of low-temperature fabrication routes to these high dielectric constant materials is important as a long-term research goal. In order to address this issue of thermal budget, a number of new low temperature growth techniques are now under study including photo-assisted methods. Previous work in this field has focussed on the use of lasers. However, their use is inherently limited by the total photon fluxes available and they are therefore not suited for large area wafer processing. Unlike lasers, lamp sources provide the potential for large area coverage. In particular, the recent development of excimer lamps has opened up new possibilities for initiating a wide range of large area low temperature photo-induced reactions.
Dziedzina nauki (EuroSciVoc)
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.
- inżynieria i technologia inżynieria śodowiska energetyka i paliwa energia odnawialna
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metale przejściowe
- nauki przyrodnicze nauki chemiczne chemia nieorganiczna metaloidy
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne optyka fizyka laserów
- nauki przyrodnicze nauki fizyczne fizyka teoretyczna fizyka cząstek elementarnych fotony
Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować
Program(-y)
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.
Temat(-y)
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.
Zaproszenie do składania wniosków
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
Brak dostępnych danych
Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.
System finansowania
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.
Koordynator
Cork
Irlandia
Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.