Descrizione del progetto
Nanoelectronics Technology
European Union Research Initiative Aims to Increase
Electronic Device Efficiency by 10x and Eliminate Power Consumption of Devices in Standby Mode
STEEPER addresses the development of Beyond CMOS energy-efficient steep subthreshold slope transistors based on quantum mechanical band-to-band tunnelling (tunnel FETs), with the aim of reducing the operation voltage of nanoelectronic circuits to sub-0.5V and their power consumption by one order of magnitude.STEEPER focuses on two technology tracks, united by same device principle, shared performance boosters, and compatibility with silicon CMOS. These are (i) Ultra-Thin-Body Silicon-On-Insulator technology for planar, tri-gate and nanowire tunnel FETs featuring ultra-low standby power and smartly exploiting additive boosters: high-k dielectrics, SiGe source, strain, and improved electrostatic design, and (ii) a III-V nanowire platform on silicon, as unique material to control staggered or broken bandgap boosters and devise a high performance (high-Ion, steep slope) implementation of tunnel FETs. Platform (i) will enable a hybrid platform combining high performance (HP) CMOS and low standby power (LSTP), low voltage tunnel FETs, supporting energy efficient hybrid CMOS/Tunnel-FET digital and analog/RF circuit design. In line with ITRS, STEEPER will evaluate in platform (ii) the physical and practical limits of boosting the performance of tunnel FETs with III-V nanowires on silicon, and resulting advantages for HP digital circuits.The development of the two technology platforms are interactive and collaborative in terms of performance boosters, and will benefit from simulation and modelling support by the academic partners, and from investigation of the potentially critical variability and sensitivity of tunnel FETs. Industrial benchmarking is proposed at device and circuit levels by the key involved industries, and the figures of merit of hybrid CMOS/tunnel FET digital and analog circuit design will be investigated.The project targets energy efficient nanoelectronic technology for high volume markets covering digital, analog/RF and mixed mode applications.
STEEPER addresses the development of Beyond CMOS energy-efficient steep subthreshold slope transistors based on quantum mechanical band-to-band tunnelling (tunnel FETs), with the aim of reducing the operation voltage of nanoelectronic circuits to sub-0.5V and their power consumption by one order of magnitude.STEEPER focuses on two technology tracks, united by same device principle, shared performance boosters, and compatibility with silicon CMOS. These are (i) Ultra-Thin-Body Silicon-On-Insulator technology for planar, tri-gate and nanowire tunnel FETs featuring ultra-low standby power and smartly exploiting additive boosters: high-k dielectrics, SiGe source, strain, and improved electrostatic design, and (ii) a III-V nanowire platform on silicon, as unique material to control staggered or broken bandgap boosters and devise a high performance (high-Ion, steep slope) implementation of tunnel FETs. Platform (i) will enable a hybrid platform combining high performance (HP) CMOS and low standby power (LSTP), low voltage tunnel FETs, supporting energy efficient hybrid CMOS/Tunnel-FET digital and analog/RF circuit design. In line with ITRS, STEEPER will evaluate in platform (ii) the physical and practical limits of boosting the performance of tunnel FETs with III-V nanowires on silicon, and resulting advantages for HP digital circuits.The development of the two technology platforms are interactive and collaborative in terms of performance boosters, and will benefit from simulation and modelling support by the academic partners, and from investigation of the potentially critical variability and sensitivity of tunnel FETs. Industrial benchmarking is proposed at device and circuit levels by the key involved industries, and the figures of merit of hybrid CMOS/tunnel FET digital and analog circuit design will be investigated.The project targets energy efficient nanoelectronic technology for high volume markets covering digital, analog/RF and mixed mode applications.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- ingegneria e tecnologia ingegneria elettrica, ingegneria elettronica, ingegneria informatica ingegneria elettronica elettronica analogica
- scienze naturali scienze chimiche chimica inorganica metalloidi
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
FP7-ICT-2009-5
Vedi altri progetti per questo bando
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
1015 LAUSANNE
Svizzera
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.