Descrizione del progetto
Nanoelectronics Technology
Extends the capabilities of TCAD to the modelling of leakage currents and technologies for low-leakage ultra-shallow junctions.
Within previous European projects process simulation has been brought to a state which allows in industrial environments a sufficiently accurate simulation of doping profiles in advanced CMOS technologies. Important electrical characteristics of core CMOS devices can now be predicted from scratch or with a minimum calibration effort. However, concepts towards low-power electronics, smart power applications, CMOS image sensors, and CMOS derivatives providing extra functionalities are still not sufficiently supported by TCAD. This concerns especially the prediction of leakage currents in such or parasitic devices caused by electrically active defects that remain after processing, and alternative doping techniques like plasma immersion ion implantation, low-temperature implantation, diversified cocktail implants and laser annealing which are considered for low-leakage ultra shallow junctions. The lack of suitable models that can be used in the early stages of industrial research and development inhibits the necessary cost reduction in the development of devices for which Europe is still at the forefront. The Atemox project will develop the full set of missing models and implement and include them into the Sentaurus TCAD platform of Synopsys so that they are of immediate value to the European semiconductor industry. The integrated models will finally be evaluated by STMicroelectronics with respect to industrial needs. To reach these ambitious goals, European companies active in complementary fields of competence and leading European research institutes have formed a consortium that is well prepared to expertly cover all fields from experiment via characterization and modelling to simulation.
Within previous European projects with major contributions by the current proposers, process simulation has been brought to a state which allows in industrial environments a sufficiently accurate simulation of doping profiles in advanced CMOS technologies. Important electrical characteristics of core CMOS devices can now be predicted from scratch or with a minimum calibration effort. However, concepts towards low-power electronics, smart power applications, CMOS image sensors, and CMOS derivatives providing extra functionalities are still not sufficiently supported by TCAD. This concerns especially the prediction of leakage currents in such or parasitic devices caused by electrically active defects that remain after processing, and alternative doping techniques like plasma immersion ion implantation, low-temperature implantation, diversified cocktail implants and laser annealing which are considered for low-leakage ultra shallow junctions. The lack of suitable models that can be used in the early stages of industrial R&D inhibits the necessary cost reduction in the development of devices for which Europe is still at the forefront. Our project will develop the full set of missing models and implement and include them into the Sentaurus TCAD platform of Synopsys so that they are of immediate value to the European semiconductor industry. The integrated models will finally be evaluated by STMicroelectronics with respect to industrial needs. To reach these ambitious goals, a consortium of European companies active in complementary fields of competence (STMicroelectronics: device manufacturing, Synopsys: TCAD software, Exico, IBS: equipment production, Probion, Semilab: characterization) and leading European research institutes (CNR-IMM, CNRS-LAAS/CEMES, ETH-Zurich, Fraunhofer-IISB, Univ. Newcastle) has been formed which, together, is well prepared to expertly cover all fields from experiment via characterization and modelling to simulation.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
- scienze naturali informatica e scienze dell'informazione software
- ingegneria e tecnologia ingegneria elettrica, ingegneria elettronica, ingegneria informatica ingegneria elettronica sensori
- scienze naturali scienze fisiche elettromagnetismo ed elettronica semiconduttività
- scienze mediche e della salute biotecnologia medica impianti
- scienze naturali scienze fisiche ottica fisica dei laser
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
FP7-ICT-2009-5
Vedi altri progetti per questo bando
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Coordinatore
80686 MUNCHEN
Germania
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.