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CORDIS - Résultats de la recherche de l’UE
CORDIS
Contenu archivé le 2024-05-28

3D modelling of the performance and variability of high electron mobility transistors for future digital applications

Objectif

"The current bulk transistor technology will not deliver an ITRS prescribed on-current at and beyond the 22 nm technology generation. A radical change in the device architecture will occur to sustain the device performance and reduce power dissipation. For this reason, Intel has recently announced that they will use a non-planar, 3D Tri-Gate architecture in mass production for the 22 nm technology.
In this highly interdisciplinary proposal, we will analyse the feasibility of two novel MOSFETs based on III-V materials channel as future contenders for digital applications. These transistors are Implant Free Quantum Well devices and III-V on insulator FinFETs. Their performance and scalability will be assessed for three technological nodes (22, 16 and 12 nm).
We will also study the impact that different sources of intrinsic parameter fluctuations have on their performance and reliability. The effect of the random dopants, gate work-function, oxide or interface charge variability on the threshold voltage, subthreshold slope or on-current of the devices will be evaluated and the impact on circuit design determined.
Hierarchical device simulation approaches will be employed, including 2D and 3D Non-Equilibrium Green´s Functions, 2D and 3D Finite-Element Monte Carlo, and 3D Finite-Element Drift-Diffusion simulations.
The numerical algorithms implemented in these simulation tools will be optimised and parallelised in order to minimise the computational cost. We will analyse different resolution methods, like Krylov subspace solvers and multigrid techniques, assisted by preconditioners, including domain decomposition methods, which are employed in the solution of the linear systems of equations. The simulation codes will be ported to and optimised for different computational infrastructures, such as high performance computers, Grid and Cloud."

Champ scientifique (EuroSciVoc)

CORDIS classe les projets avec EuroSciVoc, une taxonomie multilingue des domaines scientifiques, grâce à un processus semi-automatique basé sur des techniques TLN. Voir: https://op.europa.eu/fr/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

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Programme(s)

Programmes de financement pluriannuels qui définissent les priorités de l’UE en matière de recherche et d’innovation.

Thème(s)

Les appels à propositions sont divisés en thèmes. Un thème définit un sujet ou un domaine spécifique dans le cadre duquel les candidats peuvent soumettre des propositions. La description d’un thème comprend sa portée spécifique et l’impact attendu du projet financé.

Appel à propositions

Procédure par laquelle les candidats sont invités à soumettre des propositions de projet en vue de bénéficier d’un financement de l’UE.

FP7-PEOPLE-2011-IEF
Voir d’autres projets de cet appel

Régime de financement

Régime de financement (ou «type d’action») à l’intérieur d’un programme présentant des caractéristiques communes. Le régime de financement précise le champ d’application de ce qui est financé, le taux de remboursement, les critères d’évaluation spécifiques pour bénéficier du financement et les formes simplifiées de couverture des coûts, telles que les montants forfaitaires.

MC-IEF - Intra-European Fellowships (IEF)

Coordinateur

SWANSEA UNIVERSITY
Contribution de l’UE
€ 200 371,80
Adresse
SINGLETON PARK
SA2 8PP Swansea
Royaume-Uni

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Région
Wales West Wales and The Valleys Swansea
Type d’activité
Higher or Secondary Education Establishments
Liens
Coût total

Les coûts totaux encourus par l’organisation concernée pour participer au projet, y compris les coûts directs et indirects. Ce montant est un sous-ensemble du budget global du projet.

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