Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-05-28

3D modelling of the performance and variability of high electron mobility transistors for future digital applications

Cel

"The current bulk transistor technology will not deliver an ITRS prescribed on-current at and beyond the 22 nm technology generation. A radical change in the device architecture will occur to sustain the device performance and reduce power dissipation. For this reason, Intel has recently announced that they will use a non-planar, 3D Tri-Gate architecture in mass production for the 22 nm technology.
In this highly interdisciplinary proposal, we will analyse the feasibility of two novel MOSFETs based on III-V materials channel as future contenders for digital applications. These transistors are Implant Free Quantum Well devices and III-V on insulator FinFETs. Their performance and scalability will be assessed for three technological nodes (22, 16 and 12 nm).
We will also study the impact that different sources of intrinsic parameter fluctuations have on their performance and reliability. The effect of the random dopants, gate work-function, oxide or interface charge variability on the threshold voltage, subthreshold slope or on-current of the devices will be evaluated and the impact on circuit design determined.
Hierarchical device simulation approaches will be employed, including 2D and 3D Non-Equilibrium Green´s Functions, 2D and 3D Finite-Element Monte Carlo, and 3D Finite-Element Drift-Diffusion simulations.
The numerical algorithms implemented in these simulation tools will be optimised and parallelised in order to minimise the computational cost. We will analyse different resolution methods, like Krylov subspace solvers and multigrid techniques, assisted by preconditioners, including domain decomposition methods, which are employed in the solution of the linear systems of equations. The simulation codes will be ported to and optimised for different computational infrastructures, such as high performance computers, Grid and Cloud."

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

FP7-PEOPLE-2011-IEF
Zobacz inne projekty w ramach tego zaproszenia

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

MC-IEF - Intra-European Fellowships (IEF)

Koordynator

SWANSEA UNIVERSITY
Wkład UE
€ 200 371,80
Adres
SINGLETON PARK
SA2 8PP Swansea
Zjednoczone Królestwo

Zobacz na mapie

Region
Wales West Wales and The Valleys Swansea
Rodzaj działalności
Higher or Secondary Education Establishments
Linki
Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych
Moja broszura 0 0