Skip to main content
Vai all'homepage della Commissione europea (si apre in una nuova finestra)
italiano italiano
CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
CORDIS
Contenuto archiviato il 2024-06-18

Compound Semiconductors for 3D integration

Descrizione del progetto


Nanoelectronics

COMPOSE3 aims to develop 3D stacked circuits in the front end of line of Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) technology, based on high mobility channel materials. The final objective is a 3D stacked SRAM cell, designed with gates length taken from the 14nm technology node. This technology will provide a new paradigm shift in density scaling combined with a dramatic increase in the power efficiency of CMOS circuits. Our synergistic approach is based on the use of high mobility channel materials such as SiGe and InGaAs, utilized in fully depleted metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET), for p and n channel MOSFETs respectively. The low processing temperatures (<600ºC) that can be used for high mobility channels are indeed advantageous for an intimate 3D stacking. COMPOSE3 also exploits the knowledge accumulated in Europe for the layer transfer of ultra-thin semiconductors. Wafer bonding and layer transfer is a critical process module that will be used to enable 3D stacking of high mobility channels. The overall objectives of COMPOSE3 will address the substrate, device and circuit issues. One objective will be to validate InGaAs layer transfer for implementation on 300mm wafers. Another objective will be to benchmark InGaAs nFETs with relevant contact dimensions against planar and non-planar Si based solutions at the 14nm node and beyond. The final objective will be to integrate, on 300mm wafers, monolithic 3D CMOS circuits with 14nm node gates based on n-type InGaAs devices on top of p-type (Si)Ge devices which are independently optimized. COMPOSE3 is extremely well aligned with the strategic agenda of the leading European IC manufacturer, and also exploits its innovation for the benefit of a European SME. It gathers the main European leaders in the advanced nanoelectronics R&D arena.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: https://op.europa.eu/it/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

È necessario effettuare l’accesso o registrarsi per utilizzare questa funzione

Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

FP7-ICT-2013-11
Vedi altri progetti per questo bando

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

CP - Collaborative project (generic)

Coordinatore

IBM RESEARCH GMBH
Contributo UE
€ 807 025,00
Indirizzo
SAEUMERSTRASSE 4
8803 RUESCHLIKON
Svizzera

Mostra sulla mappa

Regione
Schweiz/Suisse/Svizzera Nordwestschweiz Aargau
Tipo di attività
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

Nessun dato

Partecipanti (9)

Il mio fascicolo 0 0