Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS
Zawartość zarchiwizowana w dniu 2024-04-19

GaAs HEMT- HTS Resonator-based X-Band Oscillator made by a Hybrid and Integrated Technology

Cel

The consortium aims to achieve a high quality x-band oscillator through the hybrid integration of a high performance active GaAs HEMT device with that of a high-Q High-Tc superconducting resonator with the entire system functioning at 77K.
Research has been carried out in order to achieve a high quality x-band oscillator through the hybrid integration of a high performance active gallium arsenic high electron mobility transistor (HEMT) device with that of a high-Q high critical temperature superconducting resonator with the entire system functioning at 77K.

The optimum design of a superconducting resonator has been established in the form of a ring coupled to a transmission line. The high performance HEMTs were fabricated using molecular beam epitaxy (MBE) growth techniques and have achieved the required performance levels. There has been success in growing device quality superconductivity films with Laser deposition and direct current (DC) magnetron sputtering. Microwave characterization facilities have been developed for the films and the system. The ability to grow strontium titanate buffers on magnesium oxide using laser deposition has also been developed. The effects of patterning have been analysed using the micro-Raman technique. The Epitaxial lift off (ELO) technique for hybrid integration of the system and a flip chip bonding technique for integration purposes has also been developed.
APPROACH AND METHODS

The consortium intends to fabricate circuits which shall be fully characterised. Through a succession of circuit iterations the optimised component should be reached.

The important aspects of the processing will be addressed by the other members and comprise:

- film growth and patterning (Alcatel Alsthom Recherche)
- buffer layers and passivation (CNR Lamel)
- study of pattern damage (Universidad de Valladolid)
- hybrid integration by epitaxial lift-off (IMEC)
- hybrid integration using a flip-chip technique (LETI).

POTENTIAL

The experimental determination of the complex conductivity will be decisive to know the behaviour of the high T cuprate oxides.

The development of specific CAD based software will permit a realistic modelling of superconducting planar guided wave structures which is not possible with today's available commercial softwares.

The final demonstrator is particularly relevant for telecommunication systems embarked on board satellites.

Dziedzina nauki (EuroSciVoc)

Klasyfikacja projektów w serwisie CORDIS opiera się na wielojęzycznej taksonomii EuroSciVoc, obejmującej wszystkie dziedziny nauki, w oparciu o półautomatyczny proces bazujący na technikach przetwarzania języka naturalnego. Więcej informacji: Europejski Słownik Naukowy.

Aby użyć tej funkcji, musisz się zalogować lub zarejestrować

Program(-y)

Wieloletnie programy finansowania, które określają priorytety Unii Europejskiej w obszarach badań naukowych i innowacji.

Temat(-y)

Zaproszenia do składania wniosków dzielą się na tematy. Każdy temat określa wybrany obszar lub wybrane zagadnienie, których powinny dotyczyć wnioski składane przez wnioskodawców. Opis tematu obejmuje jego szczegółowy zakres i oczekiwane oddziaływanie finansowanego projektu.

Brak dostępnych danych

Zaproszenie do składania wniosków

Procedura zapraszania wnioskodawców do składania wniosków projektowych w celu uzyskania finansowania ze środków Unii Europejskiej.

Brak dostępnych danych

System finansowania

Program finansowania (lub „rodzaj działania”) realizowany w ramach programu o wspólnych cechach. Określa zakres finansowania, stawkę zwrotu kosztów, szczegółowe kryteria oceny kwalifikowalności kosztów w celu ich finansowania oraz stosowanie uproszczonych form rozliczania kosztów, takich jak rozliczanie ryczałtowe.

Brak dostępnych danych

Koordynator

INTERUNIVERSITAIR MIKROELEKTRONICA CENTRUM
Wkład UE
Brak danych
Adres
KAPELDREEF, 75
3030 HEVERLEE
Belgia

Zobacz na mapie

Koszt całkowity

Ogół kosztów poniesionych przez organizację w związku z uczestnictwem w projekcie. Obejmuje koszty bezpośrednie i pośrednie. Kwota stanowi część całkowitego budżetu projektu.

Brak danych

Uczestnicy (5)

Moja broszura 0 0