Skip to main content
Przejdź do strony domowej Komisji Europejskiej (odnośnik otworzy się w nowym oknie)
polski polski
CORDIS - Wyniki badań wspieranych przez UE
CORDIS

MOS-based Quantum Information TechnOlogy

CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.

Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .

Rezultaty

D4.3 Report on all- electrical two- axis coherent control of a NW-FET spin qubit (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

D4.3 @ M24 (R): Report on all-electrical two-axis coherent control of a NW-FET spin qubit


D4.4 Report on coherent control of NW- FET spin qubits using globally- applied μ-wave field combined with local addressing via electric fields (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Report on coherent control of NW-FET spin qubits using globally-applied μ- wave field combined with local addressing via electric fields.

D5.3 Design of a fault tolerant logic qubit (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

D5.3 @M36 (R): Design of a fault tolerant logic qubit

D3.2 Report on first realization of single qubits (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Report on first realization of single qubits: QD single spin (CEA, UCPH), QD singlet-triplet (HIT, UCPH), QD hybrid (CNR), donor single spin (UCL) and donor-QD singlet- triplet (UCL, HIT) qubits

D7.1 Dissemination and exploitation report (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Dissemination and exploitation report

D1.2 Kick-off meeting (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Kick-off meeting

D3.1 Report on tunability of split-gate devices into qubit operation (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Report on tunability of split-gate devices into qubit operation (CEA, UCL, UCPH,HIT, CNR, VTT)

D7.3 Dissemination and exploitation report (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Dissemination and exploitation report

D1.7 Final report (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Final report

D7.2 Dissemination and exploitation report (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Dissemination and exploitation report

D1.1 Setting up a website (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Setting up a website

Publikacje

Pauli spin blockade in CMOS double quantum dot devices (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: D. Kotekar-Patil, A. Corna, R. Maurand, A. Crippa, A. Orlov, S. Barraud, L. Hutin, M. Vinet, X. Jehl, S. De Franceschi, M. Sanquer
Opublikowane w: physica status solidi (b), Numer 254/3, 2017, Strona(/y) 1600581, ISSN 0370-1972
Wydawca: John Wiley & Sons Ltd.
DOI: 10.1002/pssb.201600581

Controlled-NOT gate sequences for mixed spin qubit architectures in a noisy environment (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: E. Ferraro, M. Fanciulli, M. De Michielis
Opublikowane w: Quantum Information Processing, Numer 16/11, 2017, ISSN 1570-0755
Wydawca: Kluwer Academic Publishers
DOI: 10.1007/s11128-017-1729-1

Dispersive readout of a silicon quantum dot with an accumulation-mode gate sensor (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: A. Rossi, R. Zhao, A. S. Dzurak, M. F. Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Applied Physics Letters, Numer 110/21, 2017, Strona(/y) 212101, ISSN 0003-6951
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4984224

A silicon-based single-electron interferometer coupled to a fermionic sea (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Anasua Chatterjee, Sergey N. Shevchenko, Sylvain Barraud, Rubén M. Otxoa, Franco Nori, John J. L. Morton, M. Fernando Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Physical Review B, Numer 97/4, 2018, ISSN 2469-9950
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.97.045405

Electrically driven electron spin resonance mediated by spin–valley–orbit coupling in a silicon quantum dot (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Andrea Corna, Léo Bourdet, Romain Maurand, Alessandro Crippa, Dharmraj Kotekar-Patil, Heorhii Bohuslavskyi, Romain Laviéville, Louis Hutin, Sylvain Barraud, Xavier Jehl, Maud Vinet, Silvano De Franceschi, Yann-Michel Niquet, Marc Sanquer
Opublikowane w: npj Quantum Information, Numer 4/1, 2018, ISSN 2056-6387
Wydawca: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41534-018-0059-1

All-electrical manipulation of silicon spin qubits with tunable spin-valley mixing (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Léo Bourdet, Yann-Michel Niquet
Opublikowane w: Physical Review B, Numer 97/15, 2018, ISSN 2469-9950
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevB.97.155433

Magnon-photon coupling in the noncollinear magnetic insulator Cu 2 OSeO 3 (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: L. V. Abdurakhimov, S. Khan, N. A. Panjwani, J. D. Breeze, M. Mochizuki, S. Seki, Y. Tokura, J. J. L. Morton, H. Kurebayashi
Opublikowane w: Physical Review B, Numer 99/14, 2019, ISSN 2469-9950
Wydawca: APS
DOI: 10.1103/physrevb.99.140401

Electrical Spin Driving by g -Matrix Modulation in Spin-Orbit Qubits (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Alessandro Crippa, Romain Maurand, Léo Bourdet, Dharmraj Kotekar-Patil, Anthony Amisse, Xavier Jehl, Marc Sanquer, Romain Laviéville, Heorhii Bohuslavskyi, Louis Hutin, Sylvain Barraud, Maud Vinet, Yann-Michel Niquet, Silvano De Franceschi
Opublikowane w: Physical Review Letters, Numer 120/13, 2018, ISSN 0031-9007
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevLett.120.137702

Linear Hyperfine Tuning of Donor Spins in Silicon Using Hydrostatic Strain (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: J. Mansir, P. Conti, Z. Zeng, J. J. Pla, P. Bertet, M. W. Swift, C. G. Van de Walle, M. L. W. Thewalt, B. Sklenard, Y. M. Niquet, J. J. L. Morton
Opublikowane w: Physical Review Letters, Numer 120/16, 2018, ISSN 0031-9007
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevLett.120.167701

Coherence Time Analysis in Semiconducting Hybrid Qubit under Realistic Experimental Conditions (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Elena Ferraro, Marco Fanciulli, Marco De Michielis
Opublikowane w: Advanced Quantum Technologies, Numer 1/3, 2018, Strona(/y) 1800040, ISSN 2511-9044
Wydawca: Wiley
DOI: 10.1002/qute.201800040

Strain-Induced Spin-Resonance Shifts in Silicon Devices (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: J. J. Pla, A. Bienfait, G. Pica, J. Mansir, F. A. Mohiyaddin, Z. Zeng, Y. M. Niquet, A. Morello, T. Schenkel, J. J. L. Morton, P. Bertet
Opublikowane w: Physical Review Applied, Numer 9/4, 2018, ISSN 2331-7019
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevApplied.9.044014

Radio-Frequency Capacitive Gate-Based Sensing (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Imtiaz Ahmed, James A. Haigh, Simon Schaal, Sylvain Barraud, Yi Zhu, Chang-min Lee, Mario Amado, Jason W. A. Robinson, Alessandro Rossi, John J. L. Morton, M. Fernando Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Physical Review Applied, Numer 10/1, 2018, ISSN 2331-7019
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevApplied.10.014018

Superconducting MoSi nanowires (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: J S Lehtinen, A Kemppinen, E Mykkänen, M Prunnila, A J Manninen
Opublikowane w: Superconductor Science and Technology, Numer 31/1, 2018, Strona(/y) 015002, ISSN 0953-2048
Wydawca: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.1088/1361-6668/aa954b

Semiconducting double-dot exchange-only qubit dynamics in the presence of magnetic and charge noises (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: E. Ferraro, M. Fanciulli, M. De Michielis
Opublikowane w: Quantum Information Processing, Numer 17/6, 2018, ISSN 1570-0755
Wydawca: Kluwer Academic Publishers
DOI: 10.1007/s11128-018-1896-8

Conditional Dispersive Readout of a CMOS Single-Electron Memory Cell (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: S. Schaal, S. Barraud, J. J. L. Morton, M. F. Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Physical Review Applied, Numer 9/5, 2018, ISSN 2331-7019
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevapplied.9.054016

Cryogenic MOS Transistor Model (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Arnout Beckers, Farzan Jazaeri, Christian Enz
Opublikowane w: IEEE Transactions on Electron Devices, Numer 65/9, 2018, Strona(/y) 3617-3625, ISSN 0018-9383
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/TED.2018.2854701

Primary thermometry of a single reservoir using cyclic electron tunneling to a quantum dot (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Imtiaz Ahmed, Anasua Chatterjee, Sylvain Barraud, John J. L. Morton, James A. Haigh, M. Fernando Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Communications Physics, Numer 1/1, 2018, ISSN 2399-3650
Wydawca: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s42005-018-0066-8

Cryogenic Characterization of 28-nm FD-SOI Ring Oscillators With Energy Efficiency Optimization (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: H. Bohuslavskyi, S. Barraud, V. Barral, M. Casse, L. Le Guevel, L. Hutin, B. Bertrand, A. Crippa, X. Jehl, G. Pillonnet, A. G. M. Jansen, F. Arnaud, P. Galy, R. Maurand, S. De Franceschi, M. Sanquer, M. Vinet
Opublikowane w: IEEE Transactions on Electron Devices, Numer 65/9, 2018, Strona(/y) 3682-3688, ISSN 0018-9383
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/TED.2018.2859636

Electrical manipulation of semiconductor spin qubits within the g -matrix formalism (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Benjamin Venitucci, Léo Bourdet, Daniel Pouzada, Yann-Michel Niquet
Opublikowane w: Physical Review B, Numer 98/15, 2018, ISSN 2469-9950
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.98.155319

A CMOS dynamic random access architecture for radio-frequency readout of quantum devices (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Simon Schaal, Alessandro Rossi, Virginia N. Ciriano-Tejel, Tsung-Yeh Yang, Sylvain Barraud, John J. L. Morton, M. Fernando Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Nature Electronics, Numer 2/6, 2019, Strona(/y) 236-242, ISSN 2520-1131
Wydawca: Nature
DOI: 10.1038/s41928-019-0259-5

Characterization and Modeling of 28-nm Bulk CMOS Technology Down to 4.2 K (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Arnout Beckers, Farzan Jazaeri, Christian Enz
Opublikowane w: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Numer 6, 2018, Strona(/y) 1007-1018, ISSN 2168-6734
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
DOI: 10.1109/JEDS.2018.2817458

Side-wall spacer passivated sub- μ m Josephson junction fabrication process (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Leif Grönberg, Mikko Kiviranta, Visa Vesterinen, Janne Lehtinen, Slawomir Simbierowicz, Juho Luomahaara, Mika Prunnila, Juha Hassel
Opublikowane w: Superconductor Science and Technology, Numer 30/12, 2017, Strona(/y) 125016, ISSN 0953-2048
Wydawca: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.1088/1361-6668/aa9411

99.992% 28Si CVD-grown epilayer on 300 mm substrates for large scale integration of silicon spin qubits (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: V. Mazzocchi, P.G. Sennikov, A.D. Bulanov, M.F. Churbanov, B. Bertrand, L. Hutin, J.P. Barnes, M.N. Drozdov, J.M. Hartmann, M. Sanquer
Opublikowane w: Journal of Crystal Growth, Numer 509, 2019, Strona(/y) 1-7, ISSN 0022-0248
Wydawca: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.010

Gate-reflectometry dispersive readout and coherent control of a spin qubit in silicon (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: A. Crippa, R. Ezzouch, A. Aprá, A. Amisse, R. Laviéville, L. Hutin, B. Bertrand, M. Vinet, M. Urdampilleta, T. Meunier, M. Sanquer, X. Jehl, R. Maurand, S. De Franceschi
Opublikowane w: Nature Communications, Numer 10/1, 2019, ISSN 2041-1723
Wydawca: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41467-019-10848-z

Quantum and tunneling capacitance in charge and spin qubits (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: R. Mizuta, R. M. Otxoa, A. C. Betz, M. F. Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Physical Review B, Numer 95/4, 2017, ISSN 2469-9950
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/PhysRevB.95.045414

A CMOS silicon spin qubit (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: R. Maurand, X. Jehl, D. Kotekar-Patil, A. Corna, H. Bohuslavskyi, R. Laviéville, L. Hutin, S. Barraud, M. Vinet, M. Sanquer, S. De Franceschi
Opublikowane w: Nature Communications, Numer 7, 2016, Strona(/y) 13575, ISSN 2041-1723
Wydawca: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/ncomms13575

Pauli blockade in a few-hole PMOS double quantum dot limited by spin-orbit interaction (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: H. Bohuslavskyi, D. Kotekar-Patil, R. Maurand, A. Corna, S. Barraud, L. Bourdet, L. Hutin, Y.-M. Niquet, X. Jehl, S. De Franceschi, M. Vinet, M. Sanquer
Opublikowane w: Applied Physics Letters, Numer 109/19, 2016, Strona(/y) 193101, ISSN 0003-6951
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4966946

Electric-field tuning of the valley splitting in silicon corner dots (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: D. J. Ibberson, L. Bourdet, J. C. Abadillo-Uriel, I. Ahmed, S. Barraud, M. J. Calderón, Y.-M. Niquet, M. F. Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Applied Physics Letters, Numer 113/5, 2018, Strona(/y) 053104, ISSN 0003-6951
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5040474

Gate fidelity comparison in semiconducting spin qubit implementations affected by control noises (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: E Ferraro, M Fanciulli, M De Michielis
Opublikowane w: Journal of Physics Communications, Numer 2/11, 2018, Strona(/y) 115022, ISSN 2399-6528
Wydawca: IOPScience
DOI: 10.1088/2399-6528/aaf088

Cryo-CMOS Circuits and Systems for Quantum Computing Applications (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Bishnu Patra, Rosario M. Incandela, Jeroen P. G. van Dijk, Harald A. R. Homulle, Lin Song, Mina Shahmohammadi, Robert Bogdan Staszewski, Andrei Vladimirescu, Masoud Babaie, Fabio Sebastiano, Edoardo Charbon
Opublikowane w: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Numer 53/1, 2018, Strona(/y) 309-321, ISSN 0018-9200
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/jssc.2017.2737549

Phonon-induced relaxation and decoherence times of the hybrid qubit in silicon quantum dots (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: E. Ferraro, M. Fanciulli, M. De Michielis
Opublikowane w: Physical Review B, Numer 100/3, 2019, ISSN 2469-9950
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevb.100.035310

Small-signal equivalent circuit for double quantum dots at low-frequencies (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: M. Esterli, R. M. Otxoa, M. F. Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Applied Physics Letters, Numer 114/25, 2019, Strona(/y) 253505, ISSN 0003-6951
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5098889

Low-temperature tunable radio-frequency resonator for sensitive dispersive readout of nanoelectronic devices (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: David J. Ibberson, Lisa A. Ibberson, Geoff Smithson, James A. Haigh, Sylvain Barraud, M. Fernando Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Applied Physics Letters, Numer 114/12, 2019, Strona(/y) 123501, ISSN 0003-6951
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.5082894

Quantum interference capacitor based on double-passage Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interferometry (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Rubén M. Otxoa, Anasua Chatterjee, Sergey N. Shevchenko, Sylvain Barraud, Franco Nori, M. Fernando Gonzalez-Zalba
Opublikowane w: Physical Review B, Numer 100/20, 2019, ISSN 2469-9950
Wydawca: APS
DOI: 10.1103/physrevb.100.205425

Fast Charge Sensing of Si/SiGe Quantum Dots via a High-Frequency Accumulation Gate (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Christian Volk, Anasua Chatterjee, Fabio Ansaloni, Charles M. Marcus, Ferdinand Kuemmeth
Opublikowane w: Nano Letters, Numer 19/8, 2019, Strona(/y) 5628-5633, ISSN 1530-6984
Wydawca: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b02149

Cryogenic Subthreshold Swing Saturation in FD-SOI MOSFETs Described With Band Broadening (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: H. Bohuslavskyi, A. G. M. Jansen, S. Barraud, V. Barral, M. Casse, L. Le Guevel, X. Jehl, L. Hutin, B. Bertrand, G. Billiot, G. Pillonnet, F. Arnaud, P. Galy, S. De Franceschi, M. Vinet, M. Sanquer
Opublikowane w: IEEE Electron Device Letters, Numer 40/5, 2019, Strona(/y) 784-787, ISSN 0741-3106
Wydawca: Institute of Electrical and Electronics Engineers
DOI: 10.1109/led.2019.2903111

Gate-based high fidelity spin readout in a CMOS device (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Matias Urdampilleta, David J. Niegemann, Emmanuel Chanrion, Baptiste Jadot, Cameron Spence, Pierre-André Mortemousque, Christopher Bäuerle, Louis Hutin, Benoit Bertrand, Sylvain Barraud, Romain Maurand, Marc Sanquer, Xavier Jehl, Silvano De Franceschi, Maud Vinet, Tristan Meunier
Opublikowane w: Nature Nanotechnology, Numer 14/8, 2019, Strona(/y) 737-741, ISSN 1748-3387
Wydawca: Nature Publishing Group
DOI: 10.1038/s41565-019-0443-9

Bandwidth-Limited and Noisy Pulse Sequences for Single Qubit Operations in Semiconductor Spin Qubits (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Elena Ferraro, Marco De Michielis
Opublikowane w: Entropy, Numer 21/11, 2019, Strona(/y) 1042, ISSN 1099-4300
Wydawca: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/e21111042

Electron Spin Resonance of P Donors in Isotopically Purified Si Detected by Contactless Photoconductivity (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Philipp Ross, Brendon C. Rose, Cheuk C. Lo, Mike L.W. Thewalt, Alexei M. Tyryshkin, Stephen A. Lyon, John J.L. Morton
Opublikowane w: Physical Review Applied, Numer 11/5, 2019, ISSN 2331-7019
Wydawca: American Physical Society
DOI: 10.1103/physrevapplied.11.054014

All-Electrical Control of a Hybrid Electron Spin/Valley Quantum Bit in SOI CMOS Technology (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: L. Hutin, L. Bourdet, B. Bertrand, A. Corna, H. Bohuslavskyi, A. Amisse, A. Crippa, R. Maurand, S. Barraud, M. Urdampilleta, C. Bauerle, T. Meunier, M. Sanquer, X. Jehl, S. De Franceschi, Y.-M. Niquet, M. Vinet
Opublikowane w: 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2018, Strona(/y) 125-126, ISBN 978-1-5386-4218-4
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/VLSIT.2018.8510665

Design-oriented modeling of 28 nm FDSOI CMOS technology down to 4.2 K for quantum computing (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Arnout Beckers, Farzan Jazaeri, Heorhii Bohuslavskyi, Louis Hutin, Silvano De Franceschi, Christian Enz
Opublikowane w: 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2018, Strona(/y) 1-4, ISBN 978-1-5386-4811-7
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/ULIS.2018.8354742

Towards scalable silicon quantum computing (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: M. Vinet, L. Hutin, B. Bertrand, H. Bohuslavskyi, A. Corna, A. Amisse, A. Crippa, L. Bourdet, R. Maurand, S. Barraud, M. Urdampilleta, C. Bauerle, M. Sanquer, X. Jehl, Y.-M. Niquer, S. De Franceschi, T. Meunier
Opublikowane w: 2018 76th Device Research Conference (DRC), 2018, Strona(/y) 1-2, ISBN 978-1-5386-3028-0
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/DRC.2018.8442198

Cryogenic MOSFET Threshold Voltage Model (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Arnout Beckers, Farzan Jazaeri, Christian Enz
Opublikowane w: ESSDERC 2019 - 49th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2019, Strona(/y) 94-97, ISBN 978-1-7281-1539-9
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/essderc.2019.8901806

Analysis on Noise Requirements of RF Front-End Circuits for Spin Qubit Readout (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: Y. Peng, A. Ruffino, E. Charbon
Opublikowane w: 25th International Conference on Noise and Fluctuations, 2019
Wydawca: International Conference on Noise and Fluctuations
DOI: 10.5075/epfl-iclab-icnf-269250

SOI technology for quantum information processing (odnośnik otworzy się w nowym oknie)

Autorzy: S. De Franceschi, L. Hutin, R. Maurand, L. Bourdet, H. Bohuslavskyi, A. Corna, D. Kotekar-Patil, S. Barraud, X. Jehl, Y.-M. Niquet, M. Sanquer, M. Vinet
Opublikowane w: 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2016, Strona(/y) 13.4.1-13.4.4, ISBN 978-1-5090-3902-9
Wydawca: IEEE
DOI: 10.1109/iedm.2016.7838409

Prawa własności intelektualnej

Procédé de fabrication d'un composant électronique à doubles boîtes quantiques

Numer wniosku/publikacji: FR 17 60103
Data: 2017-10-26
Wnioskodawca/wnioskodawcy: COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

THERMOMETER

Numer wniosku/publikacji: 17 199173
Data: 2017-10-30
Wnioskodawca/wnioskodawcy: HITACHI EUROPE LIMITED

Dispositif quantique à qubits de spin

Numer wniosku/publikacji: FR 17 54156
Data: 2017-05-11
Wnioskodawca/wnioskodawcy: COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

DISPOSITIF QUANTIQUE COMPRENANT DES TRANSISTORS FET ET DES QUBITS CO-INTEGRES SUR UN MEME SUBSTRAT

Numer wniosku/publikacji: 18 51743
Data: 2018-02-27
Wnioskodawca/wnioskodawcy: COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Dispositif quantique à qubits de spin couplés de manière modulable

Numer wniosku/publikacji: FR 17 59789
Data: 2017-10-18
Wnioskodawca/wnioskodawcy: COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Procédé de contrôle d'un dispositif quantique à qubit de spin

Numer wniosku/publikacji: FR 17 55967
Data: 2017-06-28
Wnioskodawca/wnioskodawcy: COMMISSARIAT A L ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Wyszukiwanie danych OpenAIRE...

Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd

Brak wyników

Moja broszura 0 0