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CORDIS - Risultati della ricerca dell’UE
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Zero damage Ultra-Low-K etch using the precursor CONDensation technique

Obiettivo

Since the beginning of the electronic evolution, size of transistor never stops to decrease accordingly to Moore’s law. This scaling applies also to the interconnects, composed by conductor and insulating materials, leading to an overall increase of the resistivity of the conductor and the dielectric’s capacitance, ultimately causing delayed signal transmission (so-called RC delay). In order to decrease the resistivity, Al was replaced by Cu as a conductor. The circuit’s capacitance can be lowered by using materials with lower dielectric permittivity, named low-k’s. Nowadays, the most successful low-k dielectrics are porous organo-silicate glasses, with porosity up to 50%, pore size around 1.5-2 nm and k-values down to 1.8 (k=4.2 for bulk SiO2). Interconnects are nowadays built by the Damascene technique, where the dielectric is first deposited, then locally etched away, followed by metal deposition in the patterned structure and polishing for metal excess removal. Due to their intrinsic porosity, most of processing steps cause low-k damage, amongst which plasma etching is the most damaging. The present proposal aims at understanding and optimizing zero-damage cryogenic etching of low-k materials, compatible with the micro-electronics industry (at temperature above -60°C). Besides the improvement of the etching process and the better understanding of reactions damaging the low-k materials during plasma etching, this work will investigate the phenomenon of micro-capillary condensation into porous materials, which is not widely explored and can lead to other applications in micro-electronics and in other nanotechnology domains. This research project will contribute to enable the so-called 5nm node in future CMOS manufacturing, and as a consequence it will have a wide economic impact. Finally, this research will allow the applicant to extend his technical and project management skills, strengthening his profile for a future career in the semiconductor industry or R&D.

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.

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Programma(i)

Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.

Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

MSCA-IF-EF-ST - Standard EF

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito di questo schema di finanziamento

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

(si apre in una nuova finestra) H2020-MSCA-IF-2015

Vedi tutti i progetti finanziati nell’ambito del bando

Coordinatore

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Contributo netto dell'UE

Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.

€ 160 800,00
Indirizzo
KAPELDREEF 75
3001 Leuven
Belgio

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Regione
Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven
Tipo di attività
Research Organisations
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

€ 160 800,00
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