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CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
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Zero damage Ultra-Low-K etch using the precursor CONDensation technique

Ziel

Since the beginning of the electronic evolution, size of transistor never stops to decrease accordingly to Moore’s law. This scaling applies also to the interconnects, composed by conductor and insulating materials, leading to an overall increase of the resistivity of the conductor and the dielectric’s capacitance, ultimately causing delayed signal transmission (so-called RC delay). In order to decrease the resistivity, Al was replaced by Cu as a conductor. The circuit’s capacitance can be lowered by using materials with lower dielectric permittivity, named low-k’s. Nowadays, the most successful low-k dielectrics are porous organo-silicate glasses, with porosity up to 50%, pore size around 1.5-2 nm and k-values down to 1.8 (k=4.2 for bulk SiO2). Interconnects are nowadays built by the Damascene technique, where the dielectric is first deposited, then locally etched away, followed by metal deposition in the patterned structure and polishing for metal excess removal. Due to their intrinsic porosity, most of processing steps cause low-k damage, amongst which plasma etching is the most damaging. The present proposal aims at understanding and optimizing zero-damage cryogenic etching of low-k materials, compatible with the micro-electronics industry (at temperature above -60°C). Besides the improvement of the etching process and the better understanding of reactions damaging the low-k materials during plasma etching, this work will investigate the phenomenon of micro-capillary condensation into porous materials, which is not widely explored and can lead to other applications in micro-electronics and in other nanotechnology domains. This research project will contribute to enable the so-called 5nm node in future CMOS manufacturing, and as a consequence it will have a wide economic impact. Finally, this research will allow the applicant to extend his technical and project management skills, strengthening his profile for a future career in the semiconductor industry or R&D.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.

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Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

MSCA-IF-EF-ST - Standard EF

Alle im Rahmen dieses Finanzierungsinstruments finanzierten Projekte anzeigen

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

(öffnet in neuem Fenster) H2020-MSCA-IF-2015

Alle im Rahmen dieser Aufforderung zur Einreichung von Vorschlägen finanzierten Projekte anzeigen

Koordinator

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Netto-EU-Beitrag

Finanzieller Nettobeitrag der EU. Der Geldbetrag, den der Beteiligte erhält, abzüglich des EU-Beitrags an mit ihm verbundene Dritte. Berücksichtigt die Aufteilung des EU-Finanzbeitrags zwischen den direkten Begünstigten des Projekts und anderen Arten von Beteiligten, wie z. B. Dritten.

€ 160 800,00
Adresse
KAPELDREEF 75
3001 Leuven
Belgien

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Region
Vlaams Gewest Prov. Vlaams-Brabant Arr. Leuven
Aktivitätstyp
Research Organisations
Links
Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

€ 160 800,00
Mein Booklet 0 0