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CORDIS - Forschungsergebnisse der EU
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Inhalt archiviert am 2024-04-19

Development of an Advanced Diagnostic System for Sub-PPT Metal Contamination in Silicon Wafer Manufacturing and Processing

Ziel

Future IC manufacturing processes will demand significant improvements in the purity of the starting material and better control of individual process steps. Typical metal concentrations in starting bulk Si material are currently of the order of 1E11 to 1E12 cm{-3}. Improvements of one to two orders of magnitude are required for advanced IC devices. In order to meet this technological goal, new analytical strategies need to be developed. The overall objective of DIASYSCON is to develop an easy-to-use advanced diagnostic system for ultra low metal contamination control, based on injection scanning life-time imaging combined with a new generation of monitor wafers. This system will be applied in case studies from wafer-manufacturing, IC production and process development, and is expected to lead to significant improvements in IC yields.
Rapid advances have been made in the application of injection scanning techniques to problems of metal contamination of semiconductor material in a wide variety of technologically relevant situations. Working with a prototype system, methods for the detection, discrimination and imaging of iron boride, iron-1 and oxygen precipitates in concentrations below 1010 cm{3} have been worked out. Highly sensitive CZ silicon wafers have been produced with minority carrier diffusion lengths of greater than 2 mm. In addition to this, an effective increase in system sensitivity of 35 times has been demonstrated. Special monitor wafers for the detection of low levels of copper and nickel have been developed. 'Precipitation hard' CZ silicon wafers were demonstrated to be highly effective in the investigation of contamination in nearly arbitrary process conditions, including extremely long, high temperature processes. An important spin off has led to processes for the production of a precision controlled precipitation wafer.
A four-step approach has been adopted:

- development of injection-level lifetime analysis and imaging techniques
- their hardware and software development
- minority carrier lifetime improvements in silicon wafer manufacturing and the production of lifetime test monitor wafers
- application case studies focussed on contamination control and process improvement in IC fabrication lines.

Wissenschaftliches Gebiet (EuroSciVoc)

CORDIS klassifiziert Projekte mit EuroSciVoc, einer mehrsprachigen Taxonomie der Wissenschaftsbereiche, durch einen halbautomatischen Prozess, der auf Verfahren der Verarbeitung natürlicher Sprache beruht. Siehe: Das European Science Vocabulary.

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Programm/Programme

Mehrjährige Finanzierungsprogramme, in denen die Prioritäten der EU für Forschung und Innovation festgelegt sind.

Thema/Themen

Aufforderungen zur Einreichung von Vorschlägen sind nach Themen gegliedert. Ein Thema definiert einen bestimmten Bereich oder ein Gebiet, zu dem Vorschläge eingereicht werden können. Die Beschreibung eines Themas umfasst seinen spezifischen Umfang und die erwarteten Auswirkungen des finanzierten Projekts.

Daten nicht verfügbar

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Verfahren zur Aufforderung zur Einreichung von Projektvorschlägen mit dem Ziel, eine EU-Finanzierung zu erhalten.

Daten nicht verfügbar

Finanzierungsplan

Finanzierungsregelung (oder „Art der Maßnahme“) innerhalb eines Programms mit gemeinsamen Merkmalen. Sieht folgendes vor: den Umfang der finanzierten Maßnahmen, den Erstattungssatz, spezifische Bewertungskriterien für die Finanzierung und die Verwendung vereinfachter Kostenformen wie Pauschalbeträge.

Daten nicht verfügbar

Koordinator

Memc Materiali Elettronici SpA
EU-Beitrag
Keine Daten
Adresse
Viale Gherzi 31
28100 Novara
Italien

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Gesamtkosten

Die Gesamtkosten, die dieser Organisation durch die Beteiligung am Projekt entstanden sind, einschließlich der direkten und indirekten Kosten. Dieser Betrag ist Teil des Gesamtbudgets des Projekts.

Keine Daten

Beteiligte (3)

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