Publikacje Conference proceedings (5) Single Crystalline BaTiO3 Grown by Pulsed-laser deposition (PLD) on SrTiO3 / Si Pseudo-substrate Autorzy: Tsang Hsuan Wang, M. Korytov, P. C. Hsu, Jan Genoe, and Clement Merckling Opublikowane w: Proc. of E-MRS spring 2020, Numer Proc. of E-MRS 2020, 2020 Wydawca: E-MRS Interface Control and Characterization of SrTiO3/Si(001) Autorzy: Wang T-H, Gehlhaar R, Conard T, Genoe J, Merckling C Opublikowane w: Proc E-MRS fall 2021, 2021 Wydawca: E-MRS Growth of thin film organic crystals with strong nonlinearity for on-chip second-order nonlinear optics Autorzy: A. Hermans, R. Janneck, C. Rolin, S. Clemmen, P. Heremans, J. Genoe, and R. Baets Opublikowane w: Proceedings of the 23rd Annual Symposium of the IEEE Photonics Benelux Chapter, 2018, Strona(/y) p55 Wydawca: IEEE Non-linear electro-optic modelling of a Barium Titanate grating coupler Autorzy: Guillaume Croes, Nikolay Smolentsev, Tsang Hsuan Wang, Robert Gehlhaar, Jan Genoe Opublikowane w: Optical Modeling and Performance Predictions XI, Numer Proc. of SPIE, 2020, Strona(/y) 11, ISBN 9781510637757 Wydawca: SPIE DOI: 10.1117/12.2568032 Integrated Perovskites Oxides on Silicon: From Optical to Quantum Applications Autorzy: C. Merckling, I. Ahmed, T. H. Wang, M. Kaviani, J. Genoe, S. De Gendt Opublikowane w: proc. 241st ECS Meeting, 2022 Wydawca: ECS Peer reviewed articles (2) Interfacial control of SrTiO3/Si(0 0 1) epitaxy and its effect on physical and optical properties Autorzy: Tsang-Hsuan Wang; Robert Gehlhaar; Thierry Conard; Paola Favia; Jan Genoe; Clement Merckling Opublikowane w: Journal of Crystal Growth, Numer 582, 2022, Strona(/y) 12652, ISSN 0022-0248 Wydawca: Elsevier BV DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.126524 Polarization control of epitaxial barium titanate (BaTiO 3 ) grown by pulsed-laser deposition on a MBE-SrTiO 3 /Si(001) pseudo-substrate Autorzy: Tsang-Hsuan Wang, Po-Chun (Brent) Hsu, Maxim Korytov, Jan Genoe, Clement Merckling Opublikowane w: Journal of Applied Physics, Numer 128/10, 2020, Strona(/y) 104104, ISSN 0021-8979 Wydawca: American Institute of Physics DOI: 10.1063/5.0019980 Wyszukiwanie danych OpenAIRE... Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd Brak wyników
